Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

% Акции Разъемы Реле Вентиляторы Микросхемы Датчики и сенсоры Транзисторы и диоды Конденсаторы Предохранители Весь каталог

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

SI2312BDS-T1-E3

В избранное
В сравнение

SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

;

SI2312BDS-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
VISHAY-DALE
Артикул:
SI2312BDS-T1-E3
Описание:
Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2312BDS-T1-E3 при покупке от 64 шт 252.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2312BDS-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SI2312BDS-T1-E3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Рассеивание мощности (Макс)
750mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
SOT-23-3 (TO-236)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
SI2312

Техническая документация

SI2312BDS-T1-E3.pdf

pdf. 0 kb

1263 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 64 шт

Количество
Цена
64
252 ₽
161
202 ₽
801
176 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
VISHAY-DALE
Артикул:
SI2312BDS-T1-E3
Описание:
Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2312BDS-T1-E3 при покупке от 64 шт 252.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2312BDS-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SI2312BDS-T1-E3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Рассеивание мощности (Макс)
750mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
SOT-23-3 (TO-236)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
SI2312

Техническая документация

SI2312BDS-T1-E3.pdf

pdf. 0 kb

Доставка

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

STD4NK60Z-1 MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

199Кешбэк 29 баллов

STD80N4F6 MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

200Кешбэк 30 баллов

STQ1NC45R-AP MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3

200Кешбэк 30 баллов

STP5NK60Z MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB

202Кешбэк 30 баллов

STP2NK100Z MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB

204Кешбэк 30 баллов

STL17N65M5 MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT

205Кешбэк 30 баллов

STP105N3LL MOSFET N-CH 30V 80A TO220

207Кешбэк 31 балл

STQ1NK80ZR-AP MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3

209Кешбэк 31 балл

STL19N65M5 MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT

210Кешбэк 31 балл

STD2HNK60Z-1 Транзистор: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

210Кешбэк 31 балл

STQ1HNK60R-AP Транзистор: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3

212Кешбэк 31 балл

STD12NF06T4 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

212Кешбэк 31 балл

STF13N65M2 MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP

212Кешбэк 31 балл

STR2N2VH5 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

214Кешбэк 32 балла

STP5N60M2 MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220

220Кешбэк 33 балла

STP36NF06L MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

221Кешбэк 33 балла

STF2HNK60Z Транзистор: MOSFET N-CH 600V 2A TO220FP

222Кешбэк 33 балла

STB60NF06T4 MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

224Кешбэк 33 балла

STS5N15F3 MOSFET N-CH 150V 5A 8SO

225Кешбэк 33 балла

STF6N62K3 MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP

226Кешбэк 33 балла

STD10P10F6 MOSFET P-CH 100V 10A DPAK

228Кешбэк 34 балла

STS6P3LLH6 MOSFET P-CH 30V 6A 8SO

228Кешбэк 34 балла

STB150N3LH6 MOSFET N CH 30V 80A D2PAK

234Кешбэк 35 баллов

STD18NF03L MOSFET N-CH 30V 17A DPAK

236Кешбэк 35 баллов

STD4NK60ZT4 MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

238Кешбэк 35 баллов

STD1NK60T4 MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

239Кешбэк 35 баллов

STD7N65M2 MOSFET N-CH 650V 5A DPAK

240Кешбэк 36 баллов

STP55NF06L Транзистор: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB

242Кешбэк 36 баллов

STU6NF10 MOSFET N-CH 100V 6A IPAK

243Кешбэк 36 баллов

STD13N65M2 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

243Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды - ВЧ

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением

IGBT транзисторы

Транзисторы - программируемые однопереходные

Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Симисторы - Модули

Принадлежности для дискретных полупроводников

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Модули драйверов питания

Диоды силовые

Полевые транзисторы - Одиночные

Модули драйверов питания

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Полевые транзисторы - Модули

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Транзисторы - IGBT - модули

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Программируемые однопереходные транзисторы

Одиночные биполярные транзисторы

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Транзисторы - JFET

Полевые транзисторы - Сборки

Тиристоры - TRIACs

Диоды выпрямительные - Модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Одиночные триодные тиристоры

Диодные мосты

Диоды - мостовые выпрямители

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды и транзисторы для регулирования тока

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Тиристоры - SCR

Высокочастотные полевые транзисторы

Высокочастотные диоды

Диодные мосты - Модули

Сборки биполярных транзисторов

Одиночные IGBT транзисторы

Диоды - выпрямители - массивы

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторные модули

Симисторы

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Транзисторы специального назначения

Диоды выпрямительные - Одиночные

Варикапы и Варакторы

Биполярные транзисторы

Модули триодных тиристоров

Диоды выпрямительные - Сборки

Минимально и кратно 64 шт

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали