Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI2318CDS-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3
;
SI2318CDS-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI2318CDS-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2318CDS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 90.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2318CDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(th)): не указано, но обычно для MOSFET N-канального типов оно составляет около 2-4 В
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 40 В
    • Номинальный ток проводимости (ID(on)): 5.6 А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер пакета обеспечивает экономию места на плате
    • Высокая скорость включения и выключения (низкие транзитные затраты энергии)
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
  • Минусы:
    • Средний диэлектрический разрыв (RDS(on)) может быть выше, чем у более дорогих моделей
    • Требует дополнительного термического дизайна из-за высокой мощности при работе
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями в различных приложениях
    • Преобразование напряжения и управление нагрузкой в источниках питания
    • Контроль тока в различных электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Микроконтроллерные системы
    • Электронные устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI2318CDS-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42mOhm @ 4.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    340 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2318

Техническая документация

 SI2318CDS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 770 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    90 ₽
  • 20
    53 ₽
  • 500
    27 ₽
  • 3000
    24 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI2318CDS-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2318CDS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 90.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2318CDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(th)): не указано, но обычно для MOSFET N-канального типов оно составляет около 2-4 В
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 40 В
    • Номинальный ток проводимости (ID(on)): 5.6 А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер пакета обеспечивает экономию места на плате
    • Высокая скорость включения и выключения (низкие транзитные затраты энергии)
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
  • Минусы:
    • Средний диэлектрический разрыв (RDS(on)) может быть выше, чем у более дорогих моделей
    • Требует дополнительного термического дизайна из-за высокой мощности при работе
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями в различных приложениях
    • Преобразование напряжения и управление нагрузкой в источниках питания
    • Контроль тока в различных электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Микроконтроллерные системы
    • Электронные устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI2318CDS-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42mOhm @ 4.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    340 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2318

Техническая документация

 SI2318CDS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN2005LPK-7MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN2041L-7MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
    85Кешбэк 12 баллов
    DMP58D0LFB-7Транзистор: MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN3024SFG-13MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
    86Кешбэк 12 баллов
    DMG6402LDM-7MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
    87Кешбэк 13 баллов
    ZVN3310AMOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN2400UFD-7MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
    87Кешбэк 13 баллов
    DMP56D0UFB-7MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN3026LVT-7MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
    87Кешбэк 13 баллов
    DMP32D4S-7MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN3067LW-13MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
    87Кешбэк 13 баллов
    ZXMN2F30FHTAMOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    BSS123TAТранзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN3070SSN-7MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
    87Кешбэк 13 баллов
    DMG3404L-7MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN65D8LW-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
    88Кешбэк 13 баллов
    ZXM61P03FTAMOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
    88Кешбэк 13 баллов
    DMN2004WK-7MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
    89Кешбэк 13 баллов
    DMP3085LSS-13Транзистор: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN6140LQ-7MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN10H170SFG-13MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN3065LW-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN62D0LFB-7MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
    91Кешбэк 13 баллов
    DMG2301U-7MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP31D0U-7MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
    91Кешбэк 13 баллов
    DMG3415U-7MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP2215L-7MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    DMN3042L-13MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP32D5SFB-7BMOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP32D9UFZ-7BMOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Программируемые однопереходные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП