SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SI2325DS-T1-GE3
Описание:
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2325DS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 295.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2325DS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 530mA SOT23-3

Основные параметры:

Тип: MOSFET (P-канальный)
Номинальное напряжение блокировки: 150В
Номинальный ток прямого тока: 530mA
Пакет: SOT23-3

Плюсы:

Малый размер пакета (SOT23-3), что позволяет сэкономить место на плате
Высокая надежность и стабильность работы
Высокое отношение вольт-ампер
Низкое значение R_DS(on)

Минусы:

Небольшой номинальный ток прямого тока (530mA) может ограничивать область применения
Требует внимания при проектировании, чтобы избежать перегрева

Общее назначение:

Использование в схемах регулирования напряжения
Драйверы для индуктивных нагрузок
Буферы напряжения
Применяются в различных электронных устройствах, требующих высокой эффективности и компактности

В каких устройствах применяется:

Автомобильные системы
Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
Измерительная техника
Питание для микроконтроллеров и других чипов

Техническая документация