Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3
;
SI2342DS-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI2342DS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 101.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2342DS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-ЧИНИТ 8В 6А SOT-23

  • Основные параметры:
    • Напряжение РБ: 8 В
    • Рейтингный ток: 6 А
    • Пакет: SOT-23
  • Плюсы:
    • Малый размер пакета (SOT-23) обеспечивает компактное расположение на плате
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий сопротивление резистора RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Существует риск перегорания при неправильном использовании
    • Необходимо соблюдать требования по охлаждению при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии
    • Контроль тока в драйверах моторов
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи напряжения
    • Электронные драйверы
    • Устройства с управляемыми нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики SI2342DS-T1-GE3

Техническая документация

SI2342DS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 560 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    101 ₽
  • 50
    59 ₽
  • 500
    42 ₽
  • 1500
    36 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI2342DS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 101.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2342DS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-ЧИНИТ 8В 6А SOT-23

  • Основные параметры:
    • Напряжение РБ: 8 В
    • Рейтингный ток: 6 А
    • Пакет: SOT-23
  • Плюсы:
    • Малый размер пакета (SOT-23) обеспечивает компактное расположение на плате
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий сопротивление резистора RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Существует риск перегорания при неправильном использовании
    • Необходимо соблюдать требования по охлаждению при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии
    • Контроль тока в драйверах моторов
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи напряжения
    • Электронные драйверы
    • Устройства с управляемыми нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики SI2342DS-T1-GE3

Техническая документация

SI2342DS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории