Вход/Регистрация
IRFP9140PBFMOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
SI2365EDS-T1-GE3
SI2365EDS-T1-GE3
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SI2365EDS-T1-GE3
- Описание:MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236Все характеристики
Минимальная цена SI2365EDS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 71.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2365EDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 70 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 171 ₽
- 5034 ₽
- 50021 ₽
- 300017 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SI2365EDS-T1-GE3
- Описание:MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236Все характеристики
Минимальная цена SI2365EDS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 71.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2365EDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SI2365EDS-T1-GE3
SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
- Основные параметры:
- Тип: П-канальный MOSFET
- Номинальное напряжение (VDS(on)): 20В
- Номинальный ток (ID(on)): 5.9А
- Пакет: TO236
- Плюсы:
- Высокая проводимость при номинальном токе
- Устойчивость к перенапряжениям
- Малый размер и легкий вес
- Прочность конструкции пакета TO236
- Минусы:
- Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
- Высокий ток стока может вызывать нагрев
- Общее назначение:
- Регулирование напряжения в электронных устройствах
- Переключение высоких токов
- Защита от перенапряжений
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильная электроника
- Системы управления двигателем
- Инверторы и преобразователи
- Стабилизаторы напряжения
- Системы питания и управления
Выбрано: Показать
Характеристики SI2365EDS-T1-GE3
Техническая документация
SI2365EDS-T1-GE3.pdf pdf. 0 kb