Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SI3499DV-T1-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI3499DV-T1-BE3

SI3499DV-T1-BE3

SI3499DV-T1-BE3
;
SI3499DV-T1-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SI3499DV-T1-BE3
  • Описание:
    P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SI3499DV-T1-BE3 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3499DV-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI3499DV-T1-BE3

SI3499DV-T1-BE3 Vishay Siliconix P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: P-канальный MOSFET
    • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): Обычно указывается в даташите, но для P-канальных MOSFET часто находится в диапазоне от -20В до -60В.
    • Максимальный ток стока (Id): Зависит от конкретной модели, но для маломощных MOSFET может быть в пределах от нескольких сотен миллиампер до нескольких ампер.
    • Напряжение затвор-исток (Vgs): 1.5 В (указано в названии как "1.5-V (G-S)"), что означает низкое пороговое напряжение для открытия транзистора. Это ключевая особенность.
    • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Определяет потери мощности при работе транзистора. Чем ниже, тем лучше.
    • Корпус: DV-T1-BE3 указывает на тип корпуса, вероятно, SOT-23 или аналогичный малогабаритный для поверхностного монтажа.
  • Плюсы:
    • Низкое пороговое напряжение затвор-исток (1.5 В): Позволяет управлять транзистором напрямую от низковольтных логических уровней (например, 1.8 В, 2.5 В, 3.3 В), что упрощает схемотехнику и снижает энергопотребление в управляющей цепи.
    • P-канальный: Удобен для использования в схемах коммутации "верхнего плеча" (high-side switching) без необходимости в сложных схемах смещения.
    • Малый размер корпуса: Идеален для компактных устройств.
    • Энергоэффективность: MOSFETы обычно имеют низкое Rds(on), что минимизирует потери мощности в открытом состоянии.
  • Минусы:
    • Ограниченное максимальное напряжение сток-исток: Как правило, P-канальные MOSFETы имеют меньшее максимальное Vds по сравнению с N-канальными.
    • Меньшая подвижность носителей заряда: P-канальные MOSFETы обычно имеют более высокое Rds(on) по сравнению с N-канальными аналогами при прочих равных условиях.
    • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFETов, требует осторожного обращения.
  • Общее назначение:
    • Коммутация низковольтных нагрузок: Использование в качестве электронного ключа для включения/выключения питания различных компонентов.
    • Управление питанием: В схемах управления питанием портативных устройств, преобразователях напряжения.
    • Интерфейсы логических уровней: Согласование логических уровней между различными частями схемы.
    • Драйверы двигателей: В маломощных приложениях для управления двигателями постоянного тока.
  • В каких устройствах применяется:
    • Портативная электроника: Смартфоны, планшеты, носимые устройства, беспроводные наушники.
    • Устройства с батарейным питанием: Для управления питанием и экономии заряда.
    • Бытовая электроника: Небольшие бытовые приборы, игрушки.
    • Промышленная автоматизация: В низковольтных управляющих цепях.
    • Автомобильная электроника: В некритичных низковольтных приложениях.
Выбрано: Показать

Характеристики SI3499DV-T1-BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    8 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    750mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Техническая документация

 SI3499DV-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 240 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    291 ₽
  • 10
    277 ₽
  • 100
    184 ₽
  • 1000
    126 ₽
  • 6000
    71 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SI3499DV-T1-BE3
  • Описание:
    P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SI3499DV-T1-BE3 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3499DV-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI3499DV-T1-BE3

SI3499DV-T1-BE3 Vishay Siliconix P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: P-канальный MOSFET
    • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): Обычно указывается в даташите, но для P-канальных MOSFET часто находится в диапазоне от -20В до -60В.
    • Максимальный ток стока (Id): Зависит от конкретной модели, но для маломощных MOSFET может быть в пределах от нескольких сотен миллиампер до нескольких ампер.
    • Напряжение затвор-исток (Vgs): 1.5 В (указано в названии как "1.5-V (G-S)"), что означает низкое пороговое напряжение для открытия транзистора. Это ключевая особенность.
    • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Определяет потери мощности при работе транзистора. Чем ниже, тем лучше.
    • Корпус: DV-T1-BE3 указывает на тип корпуса, вероятно, SOT-23 или аналогичный малогабаритный для поверхностного монтажа.
  • Плюсы:
    • Низкое пороговое напряжение затвор-исток (1.5 В): Позволяет управлять транзистором напрямую от низковольтных логических уровней (например, 1.8 В, 2.5 В, 3.3 В), что упрощает схемотехнику и снижает энергопотребление в управляющей цепи.
    • P-канальный: Удобен для использования в схемах коммутации "верхнего плеча" (high-side switching) без необходимости в сложных схемах смещения.
    • Малый размер корпуса: Идеален для компактных устройств.
    • Энергоэффективность: MOSFETы обычно имеют низкое Rds(on), что минимизирует потери мощности в открытом состоянии.
  • Минусы:
    • Ограниченное максимальное напряжение сток-исток: Как правило, P-канальные MOSFETы имеют меньшее максимальное Vds по сравнению с N-канальными.
    • Меньшая подвижность носителей заряда: P-канальные MOSFETы обычно имеют более высокое Rds(on) по сравнению с N-канальными аналогами при прочих равных условиях.
    • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFETов, требует осторожного обращения.
  • Общее назначение:
    • Коммутация низковольтных нагрузок: Использование в качестве электронного ключа для включения/выключения питания различных компонентов.
    • Управление питанием: В схемах управления питанием портативных устройств, преобразователях напряжения.
    • Интерфейсы логических уровней: Согласование логических уровней между различными частями схемы.
    • Драйверы двигателей: В маломощных приложениях для управления двигателями постоянного тока.
  • В каких устройствах применяется:
    • Портативная электроника: Смартфоны, планшеты, носимые устройства, беспроводные наушники.
    • Устройства с батарейным питанием: Для управления питанием и экономии заряда.
    • Бытовая электроника: Небольшие бытовые приборы, игрушки.
    • Промышленная автоматизация: В низковольтных управляющих цепях.
    • Автомобильная электроника: В некритичных низковольтных приложениях.
Выбрано: Показать

Характеристики SI3499DV-T1-BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    8 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    750mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Техническая документация

 SI3499DV-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQS484EN-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
    291Кешбэк 43 балла
    SIR186DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
    291Кешбэк 43 балла
    SI2337DS-T1-BE3P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    IRFR9220TRPBF-BE3MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
    291Кешбэк 43 балла
    SQJ415EP-T1_BE3P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    SQJA04EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
    291Кешбэк 43 балла
    SIRA50ADP-T1-RE3MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
    291Кешбэк 43 балла
    SI3499DV-T1-BE3P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    SI2325DS-T1-BE3P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
    291Кешбэк 43 балла
    SISS10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
    293Кешбэк 43 балла
    SIRA74DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
    293Кешбэк 43 балла
    SQ4080EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
    294Кешбэк 44 балла
    SQJA46EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    298Кешбэк 44 балла
    SISS52DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
    298Кешбэк 44 балла
    SIS106DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
    300Кешбэк 45 баллов
    SQD40052EL_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
    300Кешбэк 45 баллов
    IRF520PBF-BE3MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    300Кешбэк 45 баллов
    IRF630PBF-BE3MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
    300Кешбэк 45 баллов
    SIR876BDP-T1-RE3N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
    300Кешбэк 45 баллов
    IRFR210PBF-BE3MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    302Кешбэк 45 баллов
    SQJA96EP-T1_GE3MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
    302Кешбэк 45 баллов
    IRFR120TRPBF-BE3MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    302Кешбэк 45 баллов
    IRFR210TRPBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    302Кешбэк 45 баллов
    SIHF9520S-GE3MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    302Кешбэк 45 баллов
    IRFR120PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    304Кешбэк 45 баллов
    SISS32LDN-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
    304Кешбэк 45 баллов
    SQJA76EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
    304Кешбэк 45 баллов
    SIHF530-GE3MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
    304Кешбэк 45 баллов
    SQJ479EP-T1_BE3P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
    306Кешбэк 45 баллов
    SISS98DN-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
    306Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП