Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SI3552DV-T1-E3
  • В избранное
  • В сравнение
SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3
;
SI3552DV-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI3552DV-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOPВсе характеристики

Минимальная цена SI3552DV-T1-E3 при покупке от 1 шт 222.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3552DV-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3 VISHAY — это MOSFET (MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP).

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): от 2 до 4 В
    • Максимальное напряжение вдоль канала (VDS): 30 В
    • Максимальная токовая способность (ID): 2 А
    • Тип: N-канальный / P-канальный
    • Пакет: 6TSOP (шестисвичный ТСОП)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток утечки
    • Компактный размер пакета
    • Устойчивость к электрическим разрядам
  • Минусы:
    • Наличие порогового напряжения может ограничивать область применения
    • Требует дополнительного регулирования напряжения управления для точности работы

Общее назначение: Используется для управления токами в различных приложениях, таких как питания, преобразователи напряжения, инверторы и драйверы.

  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Преобразователи напряжения
    • Питание устройств
    • Инверторы для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики SI3552DV-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105mOhm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.2nC @ 5V
  • Рассеивание мощности
    1.15W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Base Product Number
    SI3552

Техническая документация

 SI3552DV-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1168 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    222 ₽
  • 5
    184 ₽
  • 50
    112 ₽
  • 250
    80 ₽
  • 1000
    69 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI3552DV-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOPВсе характеристики

Минимальная цена SI3552DV-T1-E3 при покупке от 1 шт 222.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3552DV-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3 VISHAY — это MOSFET (MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP).

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): от 2 до 4 В
    • Максимальное напряжение вдоль канала (VDS): 30 В
    • Максимальная токовая способность (ID): 2 А
    • Тип: N-канальный / P-канальный
    • Пакет: 6TSOP (шестисвичный ТСОП)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток утечки
    • Компактный размер пакета
    • Устойчивость к электрическим разрядам
  • Минусы:
    • Наличие порогового напряжения может ограничивать область применения
    • Требует дополнительного регулирования напряжения управления для точности работы

Общее назначение: Используется для управления токами в различных приложениях, таких как питания, преобразователи напряжения, инверторы и драйверы.

  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Преобразователи напряжения
    • Питание устройств
    • Инверторы для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики SI3552DV-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105mOhm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.2nC @ 5V
  • Рассеивание мощности
    1.15W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Base Product Number
    SI3552

Техническая документация

 SI3552DV-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI1016CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
    105Кешбэк 15 баллов
    SI1922EDH-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
    113Кешбэк 16 баллов
    SI3585CDV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
    144Кешбэк 21 балл
    SI1025X-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
    145Кешбэк 21 балл
    SIA517DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    166Кешбэк 24 балла
    SI4288DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
    167Кешбэк 25 баллов
    SI4936CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    177Кешбэк 26 баллов
    SI9933CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
    178Кешбэк 26 баллов
    SI4532CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
    183Кешбэк 27 баллов
    SIA537EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
    209Кешбэк 31 балл
    SIA975DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    212Кешбэк 31 балл
    SI3552DV-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
    222Кешбэк 33 балла
    SI4599DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
    229Кешбэк 34 балла
    SI4925DDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
    269Кешбэк 40 баллов
    SI4948BEY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    271Кешбэк 40 баллов
    SQJ200EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
    282Кешбэк 42 балла
    SQ9945BEY-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
    294Кешбэк 44 балла
    SI6954ADQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
    304Кешбэк 45 баллов
    SI9926CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
    330Кешбэк 49 баллов
    SI5908DC-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
    361Кешбэк 54 балла
    SI7938DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    403Кешбэк 60 баллов
    SI4559ADY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    461Кешбэк 69 баллов
    SI6913DQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
    474Кешбэк 71 балл
    SI4204DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
    509Кешбэк 76 баллов
    SI7994DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
    624Кешбэк 93 балла
    SI7942DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
    699Кешбэк 104 балла
    2N7002DWТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
    32Кешбэк 4 балла
    SI1902DL-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
    78Кешбэк 11 баллов
    SI1023CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
    108Кешбэк 16 баллов
    SI1900DL-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
    108Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП