Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3
;
SI4435DDY-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI4435DDY-T1-E3 при покупке от 1 шт 209.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4435DDY-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO

  • Основные параметры:
    • Напряжение смещения (VGS(th)): ≤ 2 V
    • Размер тока (ID(on)): 11.4 A
    • Напряжение смещения (VDS): 30 V
    • Количество выводов: 8
  • Плюсы:
    • Высокая плотность тока (ID(on))
    • Малый напряжени смещения (VGS(th))
    • Устойчивость к высоким напряжениям (VDS)
    • Компактный размер благодаря 8SO-пакету
  • Минусы:
    • Только для применения в обратно подключаемых цепях из-за низкого напряжения смещения (VGS(th))
    • Могут быть чувствительны к электрическому шуму без дополнительной защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверы двигателей
    • Обратно подключаемые цепи
    • Применение в системах управления силами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные системы управления
    • Источники питания для бытовой техники
    • Микропроцессорные системы
Выбрано: Показать

Характеристики SI4435DDY-T1-E3

Техническая документация

SI4435DDY-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2288 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    209 ₽
  • 10
    110 ₽
  • 500
    62 ₽
  • 2500
    49 ₽
  • 10000
    44 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI4435DDY-T1-E3 при покупке от 1 шт 209.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4435DDY-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO

  • Основные параметры:
    • Напряжение смещения (VGS(th)): ≤ 2 V
    • Размер тока (ID(on)): 11.4 A
    • Напряжение смещения (VDS): 30 V
    • Количество выводов: 8
  • Плюсы:
    • Высокая плотность тока (ID(on))
    • Малый напряжени смещения (VGS(th))
    • Устойчивость к высоким напряжениям (VDS)
    • Компактный размер благодаря 8SO-пакету
  • Минусы:
    • Только для применения в обратно подключаемых цепях из-за низкого напряжения смещения (VGS(th))
    • Могут быть чувствительны к электрическому шуму без дополнительной защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверы двигателей
    • Обратно подключаемые цепи
    • Применение в системах управления силами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные системы управления
    • Источники питания для бытовой техники
    • Микропроцессорные системы
Выбрано: Показать

Характеристики SI4435DDY-T1-E3

Техническая документация

SI4435DDY-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории