Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3
;
SI4447DY-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI4447DY-T1-E3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4447DY-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI4447DY-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    72mOhm @ 4.5A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    805 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4447

Техническая документация

SI4447DY-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI4447DY-T1-E3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4447DY-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI4447DY-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    72mOhm @ 4.5A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    805 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4447

Техническая документация

SI4447DY-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории