Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3
;
SI4447DY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI4447DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 224.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4447DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO

  • Основные параметры:
    • Напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 40В
    • Ток дrain (ID): 3.3А
    • Количество выводов (SO): 8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Низкий сопротивление в ON режиме
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер и легкость интеграции в модули
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за ограниченной скорости перехода
    • Цена может быть выше, чем у аналогичных компонентов от других производителей
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Защита от перегрузок и перенапряжений
    • Переключение нагрузки в цифровых системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для преобразования напряжения
    • Распределительных блоках питания
    • Цифровых системах и микроконтроллерах
Выбрано: Показать

Характеристики SI4447DY-T1-GE3

Техническая документация

SI4447DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 401 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    224 ₽
  • 10
    141 ₽
  • 500
    72 ₽
  • 2500
    62 ₽
  • 10000
    56 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI4447DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 224.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4447DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO

  • Основные параметры:
    • Напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 40В
    • Ток дrain (ID): 3.3А
    • Количество выводов (SO): 8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Низкий сопротивление в ON режиме
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер и легкость интеграции в модули
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за ограниченной скорости перехода
    • Цена может быть выше, чем у аналогичных компонентов от других производителей
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Защита от перегрузок и перенапряжений
    • Переключение нагрузки в цифровых системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для преобразования напряжения
    • Распределительных блоках питания
    • Цифровых системах и микроконтроллерах
Выбрано: Показать

Характеристики SI4447DY-T1-GE3

Техническая документация

SI4447DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории