Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI4464DY-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3
;
SI4464DY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI4464DY-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI4464DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 453.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4464DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 200В
    • Номинальный ток (ID) - 1.7А
    • Количество выводов - 8
    • Тип - N-канальный МОСФЕТ
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Малый ток стока при OFF-режиме
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим и термическим воздействиям
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка тока
    • Передача сигнала
  • Применение в устройствах:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
    • Системы связи
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SI4464DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240mOhm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4464

Техническая документация

 SI4464DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4477 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    453 ₽
  • 10
    290 ₽
  • 100
    199 ₽
  • 1000
    136 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI4464DY-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI4464DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 453.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4464DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 200В
    • Номинальный ток (ID) - 1.7А
    • Количество выводов - 8
    • Тип - N-канальный МОСФЕТ
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Малый ток стока при OFF-режиме
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим и термическим воздействиям
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка тока
    • Передача сигнала
  • Применение в устройствах:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
    • Системы связи
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SI4464DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240mOhm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4464

Техническая документация

 SI4464DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFI630GPBFMOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
    375Кешбэк 56 баллов
    IRF9510SPBFMOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
    376Кешбэк 56 баллов
    IRF9Z24PBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
    377Кешбэк 56 баллов
    IRF9630PBFТранзистор: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
    379Кешбэк 56 баллов
    SUD50P04-08-GE3MOSFET P-CH 40V 50A TO252
    381Кешбэк 57 баллов
    IRFZ20PBFMOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
    383Кешбэк 57 баллов
    IRFU014PBFMOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
    385Кешбэк 57 баллов
    IRFI830GPBFMOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
    389Кешбэк 58 баллов
    SIHD7N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
    392Кешбэк 58 баллов
    IRF610SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
    392Кешбэк 58 баллов
    SIHU6N65E-GE3MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
    397Кешбэк 59 баллов
    IRFIBF20GPBFMOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
    403Кешбэк 60 баллов
    IRFI620GPBFMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
    404Кешбэк 60 баллов
    IRFU9310PBFТранзистор: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
    411Кешбэк 61 балл
    IRFIZ48GPBFMOSFET N-CH 60V 37A TO220-3
    411Кешбэк 61 балл
    IRFZ44PBFMOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    417Кешбэк 62 балла
    IRFIBE30GPBFMOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
    421Кешбэк 63 балла
    SIR416DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
    423Кешбэк 63 балла
    IRFU1N60APBFMOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
    425Кешбэк 63 балла
    IRL640SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
    427Кешбэк 64 балла
    IRFI644GPBFMOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
    433Кешбэк 64 балла
    SI4090DY-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
    434Кешбэк 65 баллов
    IRF830ALPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
    435Кешбэк 65 баллов
    IRFI9Z14GPBFMOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFP9240PBFТранзистор: MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
    441Кешбэк 66 баллов
    SI4455DY-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
    444Кешбэк 66 баллов
    IRFBG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
    444Кешбэк 66 баллов
    SI4464DY-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
    453Кешбэк 67 баллов
    IRF9630SPBFТранзистор: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    464Кешбэк 69 баллов
    SIHP15N50E-GE3MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
    464Кешбэк 69 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП