Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI4464DY-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3
;
SI4464DY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI4464DY-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI4464DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 453.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4464DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 200В
    • Номинальный ток (ID) - 1.7А
    • Количество выводов - 8
    • Тип - N-канальный МОСФЕТ
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Малый ток стока при OFF-режиме
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим и термическим воздействиям
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка тока
    • Передача сигнала
  • Применение в устройствах:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
    • Системы связи
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SI4464DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240mOhm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4464

Техническая документация

 SI4464DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4477 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    453 ₽
  • 10
    290 ₽
  • 100
    199 ₽
  • 1000
    136 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI4464DY-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI4464DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 453.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4464DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 200В
    • Номинальный ток (ID) - 1.7А
    • Количество выводов - 8
    • Тип - N-канальный МОСФЕТ
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Малый ток стока при OFF-режиме
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим и термическим воздействиям
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка тока
    • Передача сигнала
  • Применение в устройствах:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
    • Системы связи
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SI4464DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240mOhm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4464

Техническая документация

 SI4464DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AUIRFS3306TRLMOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    936Кешбэк 140 баллов
    IRF7739L1TRPBFMOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
    941Кешбэк 141 балл
    IPB120N08S404ATMA1MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    953Кешбэк 142 балла
    IPP100N06S2L05AKSA2MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
    957Кешбэк 143 балла
    IPZ65R095C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
    974Кешбэк 146 баллов
    IPP120N20NFDAKSA1MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
    990Кешбэк 148 баллов
    IPB011N04NGATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    990Кешбэк 148 баллов
    IPB180N08S402ATMA1MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
    1 006Кешбэк 150 баллов
    IPL65R099C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
    1 011Кешбэк 151 балл
    IPP60R125CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
    1 011Кешбэк 151 балл
    IPB180N10S403ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 011Кешбэк 151 балл
    IRFS7734TRL7PPMOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
    1 044Кешбэк 156 баллов
    IPA60R165CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 21A TO220-FP
    1 055Кешбэк 158 баллов
    AUIRFS4310ZTRLТранзистор: AUIRFS4310Z - 75V-100V N-CHANNEL
    1 086Кешбэк 162 балла
    IPP60R099P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
    1 093Кешбэк 163 балла
    IRFP4468PBFMOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
    1 125Кешбэк 168 баллов
    IPB80N08S207ATMA1MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
    1 142Кешбэк 171 балл
    IPB64N25S320ATMA1MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
    1 151Кешбэк 172 балла
    AUIRF1404MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
    1 223Кешбэк 183 балла
    AUIRF2804STRLMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    1 226Кешбэк 183 балла
    AUIRFS8409-7TRLMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
    1 275Кешбэк 191 балл
    IPLU300N04S4R8XTMA1
    1 294Кешбэк 194 балла
    BTS244ZE3062AATMA2MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
    1 308Кешбэк 196 баллов
    BTS244ZE3043AKSA2MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-12
    1 310Кешбэк 196 баллов
    IPP028N08N3GXKSA1MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
    1 317Кешбэк 197 баллов
    AUIRF7759L2TRMOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
    1 340Кешбэк 201 балл
    IRF135SA204MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
    1 359Кешбэк 203 балла
    AUIRF4905SТранзистор: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
    1 378Кешбэк 206 баллов
    IPB60R060C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
    1 504Кешбэк 225 баллов
    AUIRF4905STRLТранзистор: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
    1 560Кешбэк 234 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы специального назначения
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП