Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SI4816BDY-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3
;
SI4816BDY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI4816BDY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена SI4816BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 450.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4816BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix — это MOSFET с характеристиками:

  • Тип: MOSFET
  • Количество каналов (N-CH): 1
  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 30В
  • Номинальный ток проводимости (ID): 5.8А
  • Количество выводов (SOIC): 8

Плюсы:

  • Высокая мощность: способен обрабатывать значительные токи.
  • Устойчивость к перенапряжениям: обеспечивает надежную работу при различных условиях.
  • Малый размер: компактная 8-пиновая структура SOIC.

Минусы:

  • Высокий тепловой поток: требует эффективного охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Ограниченная скорость перехода: может не подойти для высокочастотных применений.

Общее назначение:

  • Используется для регулирования тока в электрических цепях.
  • Подходит для применения в системах управления мощностью.
  • Способствует повышению эффективности вverterов и преобразователей.

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Мощных источниках питания
  • Преобразователях напряжения
  • Электронных системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI4816BDY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.8A, 8.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18.5mOhm @ 6.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 5V
  • Рассеивание мощности
    1W, 1.25W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SI4816

Техническая документация

 SI4816BDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2310 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    450 ₽
  • 10
    289 ₽
  • 100
    197 ₽
  • 500
    157 ₽
  • 2500
    131 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI4816BDY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена SI4816BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 450.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4816BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix — это MOSFET с характеристиками:

  • Тип: MOSFET
  • Количество каналов (N-CH): 1
  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 30В
  • Номинальный ток проводимости (ID): 5.8А
  • Количество выводов (SOIC): 8

Плюсы:

  • Высокая мощность: способен обрабатывать значительные токи.
  • Устойчивость к перенапряжениям: обеспечивает надежную работу при различных условиях.
  • Малый размер: компактная 8-пиновая структура SOIC.

Минусы:

  • Высокий тепловой поток: требует эффективного охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Ограниченная скорость перехода: может не подойти для высокочастотных применений.

Общее назначение:

  • Используется для регулирования тока в электрических цепях.
  • Подходит для применения в системах управления мощностью.
  • Способствует повышению эффективности вverterов и преобразователей.

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Мощных источниках питания
  • Преобразователях напряжения
  • Электронных системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI4816BDY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.8A, 8.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18.5mOhm @ 6.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 5V
  • Рассеивание мощности
    1W, 1.25W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SI4816

Техническая документация

 SI4816BDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    436Кешбэк 65 баллов
    SI7949DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    450Кешбэк 67 баллов
    SI4816BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    450Кешбэк 67 баллов
    SI4946BEY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
    450Кешбэк 67 баллов
    SI7949DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    450Кешбэк 67 баллов
    SI7913DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
    450Кешбэк 67 баллов
    SI4946BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
    450Кешбэк 67 баллов
    SI4943CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
    461Кешбэк 69 баллов
    SI4925BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
    461Кешбэк 69 баллов
    SI4925BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
    461Кешбэк 69 баллов
    SIZ918DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    465Кешбэк 69 баллов
    SI7922DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
    474Кешбэк 71 балл
    SI7220DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
    474Кешбэк 71 балл
    SI7922DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
    474Кешбэк 71 балл
    SI4943BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
    533Кешбэк 79 баллов
    SI7252DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
    550Кешбэк 82 балла
    SQJ960EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 8A
    550Кешбэк 82 балла
    SI7997DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    556Кешбэк 83 балла
    SI4904DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
    562Кешбэк 84 балла
    SI4904DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
    562Кешбэк 84 балла
    SI7956DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
    710Кешбэк 106 баллов
    SI7942DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
    742Кешбэк 111 баллов
    SI7234DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
    748Кешбэк 112 баллов
    SI7220DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
    748Кешбэк 112 баллов
    SI7956DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
    788Кешбэк 118 баллов
    ALD1116SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 046Кешбэк 156 баллов
    ALD1117SALТранзистор: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
    1 046Кешбэк 156 баллов
    ALD110900SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 178Кешбэк 176 баллов
    ALD110902SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 178Кешбэк 176 баллов
    ALD111933SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 197Кешбэк 179 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП