SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SI4925BDY-T1-GE3
Описание:
Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена SI4925BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4925BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Основные параметры:

Напряжение коллектора-эмиттера (V_DS): 30В
Разрядная токовая способность (I_D(on)): 5.3А
Количество каналов: 2
Пакет: 8-SOIC

Плюсы:

Высокая разрядная токовая способность
Малый размер и легкий вес за счет 8-SOIC пакета
Устойчивость к импульсным нагрузкам
Эффективное управление нагрузкой благодаря двум каналам

Минусы:

Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
Могут возникать проблемы с шумом при работе на частотах выше определенного порога

Общее назначение:

Управление электрическими нагрузками
Переключение высоковольтных цепей
Использование в системах управления мощностью

Применение в устройствах:

Автомобильных системах
Интернет вещей (IoT) устройствах
Приборах для обработки сигналов
Мощных электронных устройствах

Техническая документация