Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SI4931DY-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3
;
SI4931DY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI4931DY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена SI4931DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 424.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4931DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 12В
    • Максимальный ток (ID): 6.7А
    • Количество каналов (P-CH): 2
    • Пакет: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Устойчивость к переносу заряда
    • Малые потери мощности при работе
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного управления для правильной работы
    • Могут быть ограничения по температуре при высокой нагрузке
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Защита электронных устройств от перегрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Мощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI4931DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 350µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SI4931

Техническая документация

 SI4931DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1991 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    424 ₽
  • 10
    276 ₽
  • 100
    195 ₽
  • 500
    163 ₽
  • 2500
    122 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI4931DY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена SI4931DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 424.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4931DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 12В
    • Максимальный ток (ID): 6.7А
    • Количество каналов (P-CH): 2
    • Пакет: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Устойчивость к переносу заряда
    • Малые потери мощности при работе
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного управления для правильной работы
    • Могут быть ограничения по температуре при высокой нагрузке
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Защита электронных устройств от перегрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Мощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI4931DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 350µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SI4931

Техническая документация

 SI4931DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI4936CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    181Кешбэк 27 баллов
    SI7938DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    404Кешбэк 60 баллов
    SIA517DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    160Кешбэк 24 балла
    SQJ200EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
    290Кешбэк 43 балла
    SI1902CDL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
    62Кешбэк 9 баллов
    SI4925DDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
    272Кешбэк 40 баллов
    SI4532CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
    191Кешбэк 28 баллов
    SI3552DV-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
    222Кешбэк 33 балла
    SI1016CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
    109Кешбэк 16 баллов
    SI4948BEY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    297Кешбэк 44 балла
    SI9933CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
    179Кешбэк 26 баллов
    SI3585CDV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
    146Кешбэк 21 балл
    SQ9945BEY-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
    296Кешбэк 44 балла
    SI9926CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
    305Кешбэк 45 баллов
    SI5908DC-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
    360Кешбэк 54 балла
    SI5517DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
    281Кешбэк 42 балла
    2N7002DWТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
    31.5Кешбэк 4 балла
    SI1902DL-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
    96Кешбэк 14 баллов
    SI3590DV-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
    239Кешбэк 35 баллов
    SI3932DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
    156Кешбэк 23 балла
    SI1034X-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6
    132Кешбэк 19 баллов
    SI6968BEDQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
    252Кешбэк 37 баллов
    SI1023CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
    107Кешбэк 16 баллов
    SI3590DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
    239Кешбэк 35 баллов
    SI3900DV-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
    308Кешбэк 46 баллов
    SI3900DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
    276Кешбэк 41 балл
    SI4228DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
    254Кешбэк 38 баллов
    SI5515CDC-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
    224Кешбэк 33 балла
    SI5513CDC-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
    163Кешбэк 24 балла
    SIA527DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    150Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП