Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SI4931DY-T1-GE3
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI4931DY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена SI4931DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 431.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4931DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI4931DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 350µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SI4931
Техническая документация
 SI4931DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 3561 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    431 ₽
  • 10
    260 ₽
  • 100
    190 ₽
  • 500
    173 ₽
  • 5000
    134 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI4931DY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена SI4931DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 431.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4931DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI4931DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 350µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    1.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SI4931
Техническая документация
 SI4931DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTLUD3A50PZTAGТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN
    258Кешбэк 38 баллов
    ALD210800SCLТранзистор: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
    1 677Кешбэк 251 балл
    FDMS8090Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
    1 246Кешбэк 186 баллов
    SI5504BDC-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
    288Кешбэк 43 балла
    IPG20N04S408ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
    401Кешбэк 60 баллов
    AO9926CТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC
    60Кешбэк 9 баллов
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    216Кешбэк 32 балла
    DMN53D0LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
    56Кешбэк 8 баллов
    DMN3035LWN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
    148Кешбэк 22 балла
    NTHD3100CT1GТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
    294Кешбэк 44 балла
    QS8J13TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
    266Кешбэк 39 баллов
    ECH8667-TL-HТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH
    250Кешбэк 37 баллов
    DMC2990UDJ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT963
    100Кешбэк 15 баллов
    CSD87335Q3DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A
    354Кешбэк 53 балла
    SI4925BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
    442Кешбэк 66 баллов
    PMDPB55XP,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
    77Кешбэк 11 баллов
    ZXMN3A04DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    537Кешбэк 80 баллов
    FDMS3600SТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    591Кешбэк 88 баллов
    NTGD4167CT1GТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
    145Кешбэк 21 балл
    FDS4897CТранзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.2/4.4A 8SOIC
    269Кешбэк 40 баллов
    BSL215CH6327XTSA1Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
    156Кешбэк 23 балла
    DMN63D8LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    18.7Кешбэк 2 балла
    DMN63D8LDWQ-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    56Кешбэк 8 баллов
    STL8DN10LF3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6
    566Кешбэк 84 балла
    DMC3016LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
    109Кешбэк 16 баллов
    FDMB3800NТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
    201Кешбэк 30 баллов
    FDJ1027PТранзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    72Кешбэк 10 баллов
    PMDPB42UN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
    51Кешбэк 7 баллов
    SI6913DQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
    457Кешбэк 68 баллов
    FDG6304PТранзистор: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
    75Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП