Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SI4936BDY-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3
;
SI4936BDY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SI4936BDY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена SI4936BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4936BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 30В
    • Номинальный ток смещения: 6.9А
    • Количество выводов: 8
    • Пакет: SOIC (8-пиновый)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии производства от Vishay / Siliconix
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOIC
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать требования по монтажу и проектированию схемы для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах для управления токами и напряжениями
    • Подходит для применения в системах питания, преобразователях энергии, драйверах и других цифровых и аналоговых цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Инверторы
    • Преобразователи напряжения
    • Цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SI4936BDY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.9A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35mOhm @ 5.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    530pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    2.8W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SI4936

Техническая документация

 SI4936BDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1798 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    337 ₽
  • 10
    216 ₽
  • 100
    143 ₽
  • 1000
    111 ₽
  • 5000
    87 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SI4936BDY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена SI4936BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4936BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 30В
    • Номинальный ток смещения: 6.9А
    • Количество выводов: 8
    • Пакет: SOIC (8-пиновый)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии производства от Vishay / Siliconix
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOIC
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать требования по монтажу и проектированию схемы для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах для управления токами и напряжениями
    • Подходит для применения в системах питания, преобразователях энергии, драйверах и других цифровых и аналоговых цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Инверторы
    • Преобразователи напряжения
    • Цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SI4936BDY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.9A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35mOhm @ 5.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    530pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    2.8W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    SI4936

Техническая документация

 SI4936BDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    337Кешбэк 50 баллов
    SI4931DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
    341Кешбэк 51 балл
    SI4900DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    SI4900DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    SI9926CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
    358Кешбэк 53 балла
    SI4948BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    358Кешбэк 53 балла
    SI4936BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    358Кешбэк 53 балла
    SQJ202EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
    385Кешбэк 57 баллов
    SI7272DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    391Кешбэк 58 баллов
    SIZ902DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    391Кешбэк 58 баллов
    SI7998DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    412Кешбэк 61 балл
    SI7216DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
    424Кешбэк 63 балла
    SI7900AEDN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
    431Кешбэк 64 балла
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    443Кешбэк 66 баллов
    SI7949DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    456Кешбэк 68 баллов
    SI4816BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    456Кешбэк 68 баллов
    SI4946BEY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
    456Кешбэк 68 баллов
    SI7949DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    456Кешбэк 68 баллов
    SI7913DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
    456Кешбэк 68 баллов
    SI4946BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
    456Кешбэк 68 баллов
    SI4943CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
    468Кешбэк 70 баллов
    SI4925BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
    468Кешбэк 70 баллов
    SI4925BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
    468Кешбэк 70 баллов
    SI7922DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
    481Кешбэк 72 балла
    SI7220DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
    481Кешбэк 72 балла
    SI7922DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
    481Кешбэк 72 балла
    SI4943BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
    541Кешбэк 81 балл
    SQJ960EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 8A
    558Кешбэк 83 балла
    SI7997DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    564Кешбэк 84 балла
    SI4904DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
    570Кешбэк 85 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Высокочастотные диоды
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП