Вход/Регистрация
BUK7K13-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
SI5442DU-T1-GE3
SI5442DU-T1-GE3
- Производитель:Vishay Semiconductors
- Артикул:SI5442DU-T1-GE3
- Описание:MOSFET N-CH 20V 25A PPAKВсе характеристики
Минимальная цена SI5442DU-T1-GE3 при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5442DU-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 4519 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1104 ₽
- 10067 ₽
- 100053 ₽
- 600046 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Vishay Semiconductors
- Артикул:SI5442DU-T1-GE3
- Описание:MOSFET N-CH 20V 25A PPAKВсе характеристики
Минимальная цена SI5442DU-T1-GE3 при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5442DU-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SI5442DU-T1-GE3
SI5442DU-T1-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Vishay Semiconductors. Он является непроводящим каналом типа N с напряжением срабатывания 20В и током 25А.
- Основные параметры:
- Тип: MOSFET N-CH
- Напряжение срабатывания: 20В
- Ток: 25А
- Пакет: PPAK
Плюсы:
- Высокая надежность благодаря использованию технологии PPAK
- Высокая проводимость при малых напряжениях
- Устойчивость к перегреву и износу
- Малый размер и легкость в интеграции в разнообразные устройства
Минусы:
- Низкий КПД при больших токах
- Необходимо учитывать параметр Rds(on)
- Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокий ток и стабильная работа при больших напряжениях. Применяется в:
- Автомобильной электронике
- Системах питания
- Инструментах и оборудовании
- Инверторах и преобразователях
- Мощных системах управления
Выбрано: Показать
Характеристики SI5442DU-T1-GE3
Техническая документация
SI5442DU-T1-GE3.pdf pdf. 0 kb
