Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SI6562CDQ-T1-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI6562CDQ-T1-BE3

SI6562CDQ-T1-BE3

SI6562CDQ-T1-BE3
;
SI6562CDQ-T1-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI6562CDQ-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFВсе характеристики

Минимальная цена SI6562CDQ-T1-BE3 при покупке от 1 шт 287.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6562CDQ-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI6562CDQ-T1-BE3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • N-канальный транзистор: 20В
      • P-канальный транзистор: 20В
      • Материал: MOSFET
    • Плюсы:
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Низкий уровень тока утечки при отключенном транзисторе
      • Устойчивость к электрическим разрядам
      • Долгий срок службы
    • Минусы:
      • Требуют дополнительного управления для работы
      • Могут быть чувствительны к внешним шумам
      • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых и аналоговых цепях
      • Контроль нагрузок в электронных устройствах
      • Переключение высоких напряжений
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные телефоны
      • ПК и ноутбуки
      • Автомобили (автономные системы)
      • Инверторы и преобразователи напряжения
      • Электронные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI6562CDQ-T1-BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V, 51nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-TSSOP

Техническая документация

 SI6562CDQ-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3191 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    287 ₽
  • 10
    182 ₽
  • 500
    95 ₽
  • 3000
    76 ₽
  • 9000
    71 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI6562CDQ-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFВсе характеристики

Минимальная цена SI6562CDQ-T1-BE3 при покупке от 1 шт 287.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6562CDQ-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI6562CDQ-T1-BE3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • N-канальный транзистор: 20В
      • P-канальный транзистор: 20В
      • Материал: MOSFET
    • Плюсы:
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Низкий уровень тока утечки при отключенном транзисторе
      • Устойчивость к электрическим разрядам
      • Долгий срок службы
    • Минусы:
      • Требуют дополнительного управления для работы
      • Могут быть чувствительны к внешним шумам
      • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых и аналоговых цепях
      • Контроль нагрузок в электронных устройствах
      • Переключение высоких напряжений
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные телефоны
      • ПК и ноутбуки
      • Автомобили (автономные системы)
      • Инверторы и преобразователи напряжения
      • Электронные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI6562CDQ-T1-BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V, 51nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-TSSOP

Техническая документация

 SI6562CDQ-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HUF75842S3Транзистор: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    343Кешбэк 51 балл
    RFD20N03SM9AR4770Транзистор: 20A, 30V, 0.025 OHM, N-CHANNEL
    230Кешбэк 34 балла
    SI6953DQТранзистор: P-CHANNEL MOSFET
    74Кешбэк 11 баллов
    SI4920DYТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    102Кешбэк 15 баллов
    FQPF6N50C3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET
    193Кешбэк 28 баллов
    FCH041N65FN-CHANNEL, MOSFET
    1 756Кешбэк 263 балла
    FDB3652SB82059Транзистор: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
    547Кешбэк 82 балла
    FCH041N65EFN-CHANNEL, MOSFET
    1 756Кешбэк 263 балла
    CMLDM3757 TR PBFREEТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
    150Кешбэк 22 балла
    CMKDM8005 TR PBFREEТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT363
    148Кешбэк 22 балла
    CWDM305ND TR13 PBFREEТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
    202Кешбэк 30 баллов
    EPC2106Транзистор: GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
    493Кешбэк 73 балла
    EPC2107Транзистор: GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
    526Кешбэк 78 баллов
    EPC2103Транзистор: GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
    1 993Кешбэк 298 баллов
    EPC2104Транзистор: GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
    1 918Кешбэк 287 баллов
    EPC2102Транзистор: GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
    1 918Кешбэк 287 баллов
    EPC2105Транзистор: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
    1 918Кешбэк 287 баллов
    EPC2108Транзистор: GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
    387Кешбэк 58 баллов
    EPC2101Транзистор: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
    1 993Кешбэк 298 баллов
    SQ1922AEEH-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
    128Кешбэк 19 баллов
    SI1553CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
    70Кешбэк 10 баллов
    SQ3989EV-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
    137Кешбэк 20 баллов
    SQJ560EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
    376Кешбэк 56 баллов
    SQJQ910EL-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
    628Кешбэк 94 балла
    SQ4949EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
    432Кешбэк 64 балла
    SI1539CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V SOT363
    100Кешбэк 15 баллов
    SQJ504EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
    398Кешбэк 59 баллов
    SI1902CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
    87Кешбэк 13 баллов
    SQJ952EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    311Кешбэк 46 баллов
    SQ1912AEEH-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
    137Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП