Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SI6562CDQ-T1-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI6562CDQ-T1-BE3

SI6562CDQ-T1-BE3

SI6562CDQ-T1-BE3
;
SI6562CDQ-T1-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI6562CDQ-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFВсе характеристики

Минимальная цена SI6562CDQ-T1-BE3 при покупке от 1 шт 294.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6562CDQ-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI6562CDQ-T1-BE3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • N-канальный транзистор: 20В
      • P-канальный транзистор: 20В
      • Материал: MOSFET
    • Плюсы:
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Низкий уровень тока утечки при отключенном транзисторе
      • Устойчивость к электрическим разрядам
      • Долгий срок службы
    • Минусы:
      • Требуют дополнительного управления для работы
      • Могут быть чувствительны к внешним шумам
      • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых и аналоговых цепях
      • Контроль нагрузок в электронных устройствах
      • Переключение высоких напряжений
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные телефоны
      • ПК и ноутбуки
      • Автомобили (автономные системы)
      • Инверторы и преобразователи напряжения
      • Электронные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI6562CDQ-T1-BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V, 51nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-TSSOP

Техническая документация

 SI6562CDQ-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3191 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    294 ₽
  • 10
    186 ₽
  • 500
    97 ₽
  • 3000
    78 ₽
  • 9000
    73 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI6562CDQ-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFВсе характеристики

Минимальная цена SI6562CDQ-T1-BE3 при покупке от 1 шт 294.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6562CDQ-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI6562CDQ-T1-BE3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • N-канальный транзистор: 20В
      • P-канальный транзистор: 20В
      • Материал: MOSFET
    • Плюсы:
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Низкий уровень тока утечки при отключенном транзисторе
      • Устойчивость к электрическим разрядам
      • Долгий срок службы
    • Минусы:
      • Требуют дополнительного управления для работы
      • Могут быть чувствительны к внешним шумам
      • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых и аналоговых цепях
      • Контроль нагрузок в электронных устройствах
      • Переключение высоких напряжений
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные телефоны
      • ПК и ноутбуки
      • Автомобили (автономные системы)
      • Инверторы и преобразователи напряжения
      • Электронные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI6562CDQ-T1-BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V, 51nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-TSSOP

Техническая документация

 SI6562CDQ-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIZ346DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
    211Кешбэк 31 балл
    SIZ340BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    213Кешбэк 31 балл
    SI4946CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
    230Кешбэк 34 балла
    SIZ342ADT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3
    236Кешбэк 35 баллов
    SI7972DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
    245Кешбэк 36 баллов
    SQJ946EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
    247Кешбэк 37 баллов
    SIZ320DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
    253Кешбэк 37 баллов
    SQJB70EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    262Кешбэк 39 баллов
    SQJB68EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    266Кешбэк 39 баллов
    SI7223DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
    275Кешбэк 41 балл
    SQJB70EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    281Кешбэк 42 балла
    SQJ992EP-T2_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    281Кешбэк 42 балла
    SQS944ENW-T1_GE3MOSFET N-CHAN 40V
    281Кешбэк 42 балла
    SQJB04ELP-T1_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    283Кешбэк 42 балла
    SQJB68EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    285Кешбэк 42 балла
    SQ4946CEY-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
    291Кешбэк 43 балла
    SI6562CDQ-T1-BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
    294Кешбэк 44 балла
    SIS590DN-T1-GE3Транзистор: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
    294Кешбэк 44 балла
    SQJ912DEP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    298Кешбэк 44 балла
    SQJ912BEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
    298Кешбэк 44 балла
    SQJB02ELP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    310Кешбэк 46 баллов
    SQJ968EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    310Кешбэк 46 баллов
    SQJ570EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175
    310Кешбэк 46 баллов
    SQJ958EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    312Кешбэк 46 баллов
    SQ9945BEY-T1_BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
    312Кешбэк 46 баллов
    SQJ956EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    312Кешбэк 46 баллов
    SIZ340ADT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    312Кешбэк 46 баллов
    SIZ350DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
    317Кешбэк 47 баллов
    SQJ952EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    319Кешбэк 47 баллов
    SIZ348DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
    319Кешбэк 47 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы
    Модули триодных тиристоров
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП