SI6913DQ-T1-GE3

SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

• Основные параметры:
• Напряжение срабатывания (Vgs(th)): ≤ 3.0 V
• Рейтингная токовая характеристика (IR): 4.9 A
• Номинальное напряжение питания (Vds): 12 V
• Количество каналов (P-CH): 2
• Пакет: 8-TSSOP
• Плюсы:
• Высокая токовая способность
• Низкое напряжение срабатывания
• Малый размер и легкость интеграции в разъемы
• Устойчивость к перенапряжениям
• Минусы:
• Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
• Могут быть проблемы с шумами и помехами
• Общее назначение:
• Регулировка напряжения
• Передача тока
• Привод управления
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы
• Инверторы
• Системы управления двигателем
• Питание электронных устройств
• Приборы измерения