Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3
;
SI7129DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI7129DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 217.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7129DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток (ID(on)): 35А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме "открыто"
    • Низкое значение RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер пакета для эффективного отвода тепла
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Драйверы двигателей
    • Приводы электроприводов
    • Автомобильные системы управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили (системы управления двигателем, приводы)
    • Машины и оборудование (приводы)
    • Энергосистемы (инверторы, преобразователи)
Выбрано: Показать

Характеристики SI7129DN-T1-GE3

Техническая документация

SI7129DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4771 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    217 ₽
  • 10
    167 ₽
  • 500
    92 ₽
  • 3000
    74 ₽
  • 9000
    66 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI7129DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 217.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7129DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток (ID(on)): 35А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме "открыто"
    • Низкое значение RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер пакета для эффективного отвода тепла
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Драйверы двигателей
    • Приводы электроприводов
    • Автомобильные системы управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили (системы управления двигателем, приводы)
    • Машины и оборудование (приводы)
    • Энергосистемы (инверторы, преобразователи)
Выбрано: Показать

Характеристики SI7129DN-T1-GE3

Техническая документация

SI7129DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории