Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI7129DN-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3
;
SI7129DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7129DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7129DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7129DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток (ID(on)): 35А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме "открыто"
    • Низкое значение RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер пакета для эффективного отвода тепла
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Драйверы двигателей
    • Приводы электроприводов
    • Автомобильные системы управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили (системы управления двигателем, приводы)
    • Машины и оборудование (приводы)
    • Энергосистемы (инверторы, преобразователи)
Выбрано: Показать

Характеристики SI7129DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.4mOhm @ 14.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    71 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3345 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7129

Техническая документация

 SI7129DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 7707 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    291 ₽
  • 10
    184 ₽
  • 500
    96 ₽
  • 3000
    77 ₽
  • 9000
    69 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7129DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7129DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7129DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток (ID(on)): 35А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме "открыто"
    • Низкое значение RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер пакета для эффективного отвода тепла
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Драйверы двигателей
    • Приводы электроприводов
    • Автомобильные системы управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили (системы управления двигателем, приводы)
    • Машины и оборудование (приводы)
    • Энергосистемы (инверторы, преобразователи)
Выбрано: Показать

Характеристики SI7129DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.4mOhm @ 14.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    71 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3345 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7129

Техническая документация

 SI7129DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STS5N15F3MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
    215Кешбэк 32 балла
    STF6N62K3MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
    216Кешбэк 32 балла
    STD10P10F6MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
    218Кешбэк 32 балла
    STS6P3LLH6MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
    218Кешбэк 32 балла
    STB150N3LH6MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
    224Кешбэк 33 балла
    STD4NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
    225Кешбэк 33 балла
    STD18NF03LMOSFET N-CH 30V 17A DPAK
    225Кешбэк 33 балла
    STD8N65M5MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
    227Кешбэк 34 балла
    STD1NK60T4MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
    229Кешбэк 34 балла
    STD7N65M2MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
    229Кешбэк 34 балла
    STU6NF10MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
    230Кешбэк 34 балла
    STD13N65M2MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
    230Кешбэк 34 балла
    STP55NF06LТранзистор: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
    231Кешбэк 34 балла
    STP5NK80ZFPТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FP
    232Кешбэк 34 балла
    STL8P4LLF6MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
    235Кешбэк 35 баллов
    STF2LN60K3MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP
    237Кешбэк 35 баллов
    STN4NF06LMOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
    239Кешбэк 35 баллов
    STD5N20LT4Транзистор: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    STL56N3LLH5MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
    241Кешбэк 36 баллов
    STS10N3LH5MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
    241Кешбэк 36 баллов
    STP9NK65ZMOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
    241Кешбэк 36 баллов
    STB11NK40ZT4MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
    243Кешбэк 36 баллов
    STF8NM50NMOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
    243Кешбэк 36 баллов
    STN1HNK60MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
    244Кешбэк 36 баллов
    STD15NF10T4MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    STD5NM60T4MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
    245Кешбэк 36 баллов
    STL18NM60NMOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
    246Кешбэк 36 баллов
    STU3N62K3MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    STL12P6F6MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
    249Кешбэк 37 баллов
    STS5NF60LMOSFET N-CH 60V 5A 8SO
    250Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП