SI7431DP-T1-GE3

SI7431DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200В 2,2А PPAK SO-8

• Основные параметры:
  • Номинальное напряжение вдоль канала (V_GS(th)): ≤ 4 В
  • Номинальный ток (I_D(on)): 2,2 А
  • Номинальное напряжение блокировки (V_DS(max)): 200 В
  • Тип корпуса: PPAK SO-8
• Плюсы:
  • Высокая надежность благодаря технологии производства от Vishay Siliconix
  • Малый размер корпуса (PPAK SO-8) для экономии места на плате
  • Низкое напряжение включения, что обеспечивает эффективное управление током
• Минусы:
  • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перетока
  • Существует риск повреждения при неправильном использовании или несоответствующем проектировании
• Общее назначение:
  • Управление током в различных электронных устройствах
  • Использование в схемах регулирования напряжения
  • Применение в системах управления мощностью
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Приборы измерений
  • Системы питания
  • Мощные инверторы
  • Промышленные контроллеры