Вход/Регистрация
SIS892DN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
SI7806ADN-T1-E3
SI7806ADN-T1-E3 транзистор полевой, N-канал, 30В, 9А, 1.5Вт
- Производитель:Vishay Semiconductors
- Артикул:SI7806ADN-T1-E3
- Описание:MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8Все характеристики
Минимальная цена SI7806ADN-T1-E3 при покупке от 1 шт 428.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7806ADN-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 4648 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1428 ₽
- 10273 ₽
- 100181 ₽
- 1000131 ₽
- 6000118 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Vishay Semiconductors
- Артикул:SI7806ADN-T1-E3
- Описание:MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8Все характеристики
Минимальная цена SI7806ADN-T1-E3 при покупке от 1 шт 428.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7806ADN-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SI7806ADN-T1-E3
SI7806ADN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
- Основные параметры:
- Напряжение вдоль канала (VDS(on)): 30В
- Размерный ток (ID(on)): 9А
- Тип: N-канальный MOSFET
- Пакет: PPAK1212-8
- Плюсы:
- Высокий ток пропускания
- Низкий коэффициент включения
- Устойчивость к перегреву
- Малые размеры и легкий вес
- Минусы:
- Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
- Не рекомендуется использовать для постоянного тока выше 30В
- Общее назначение:
- Управление токами в электронных устройствах
- Регулировка напряжения
- Переключение высоких токов
- Применение в устройствах:
- Питание электроники
- Автомобильные системы
- Питание сотовых телефонов и ноутбуков
- Измерительные приборы
Выбрано: Показать
Характеристики SI7806ADN-T1-E3
Техническая документация
SI7806ADN-T1-E3.pdf pdf. 0 kb
