Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SI7810DN-T1-E3
Описание:
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7810DN-T1-E3 при покупке от 1 шт 285.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7810DN-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SI7810DN-T1-E3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 5.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Рассеивание мощности (Макс)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SI7810

Техническая документация

SI7810DN-T1-E3.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

45400 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
285 ₽
10
202 ₽
100
150 ₽
3000
125 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SI7810DN-T1-E3
Описание:
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7810DN-T1-E3 при покупке от 1 шт 285.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7810DN-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SI7810DN-T1-E3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 5.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Рассеивание мощности (Макс)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SI7810

Техническая документация

SI7810DN-T1-E3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SUM70040E-GE3 MOSFET N-CH 100V 120A TO263

499Кешбэк 74 балла

NTMFS4846NT1G MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN

106Кешбэк 15 баллов

AUIRFZ48Z Транзистор: MOSFET N-CH 55V 61A TO220

253Кешбэк 37 баллов

FCP11N60F MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

643Кешбэк 96 баллов

IXTQ69N30P MOSFET N-CH 300V 69A TO3P

2 100Кешбэк 315 баллов

FDS7098N3 MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

126Кешбэк 18 баллов

FCP20N60 MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3

954Кешбэк 143 балла

FDS6690AS MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

168Кешбэк 25 баллов

FQA13N50CF MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN

867Кешбэк 130 баллов

AUIRFR2905Z MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

219Кешбэк 32 балла

NTMFS5C460NLT3G MOSFET N-CH 40V 5DFN

128Кешбэк 19 баллов

NTLJS3113PTAG MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

51Кешбэк 7 баллов

IRFU9024NPBF MOSFET P-CH 55V 11A IPAK

149Кешбэк 22 балла

IRFR7546TRPBF MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

222Кешбэк 33 балла

TK9A90E,S4X MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS

626Кешбэк 93 балла

FDN359BN MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

70Кешбэк 10 баллов

AUIRFSL8403 MOSFET N-CH 40V 123A TO262

271Кешбэк 40 баллов

NTMFS4821NT1G MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN

111Кешбэк 16 баллов

IRFI630GPBF MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3

251Кешбэк 37 баллов

HUF76443P3 MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

396Кешбэк 59 баллов

NVMFS5C460NLT1G MOSFET N-CH 40V 5DFN

138Кешбэк 20 баллов

NTLJS4114NT1G MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN

221Кешбэк 33 балла

IRF9520PBF Транзистор: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB

381Кешбэк 57 баллов

IXTA08N100D2 MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

756Кешбэк 113 баллов

STW58N65DM2AG MOSFET N-CH 650V 48A TO247

2 633Кешбэк 394 балла

TK12A50D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS

530Кешбэк 79 баллов

BUK962R6-40E,118 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

296Кешбэк 44 балла

IRL520LPBF MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3

428Кешбэк 64 балла

FQD12N20LTM MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

245Кешбэк 36 баллов

SIHB33N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

1 383Кешбэк 207 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Симисторы

IGBT транзисторы

Диоды - выпрямители - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Тиристоры - TRIACs

Диодные мосты - Модули

Симисторы - Модули

Варикапы и Варакторы

Высокочастотные диоды

Диоды выпрямительные - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные

Высокочастотные полевые транзисторы

Принадлежности

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Транзисторы - Модули

Программируемые однопереходные транзисторы

Высокочастотные биполярные транзисторы

Тиристоры - SCR - модули

Модули драйверов питания

Полевые транзисторы - Одиночные

Тиристоры - SCR

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Триодные тиристоры - Одиночные

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Полевые транзисторы - Сборки

Полевые транзисторы - Модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - Специального назначения

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Диодные мосты

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Диоды выпрямительные - Сборки

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Драйверы питания - Модули

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - IGBT - модули

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - программируемые однопереходные

Транзисторы - JFET

Диоды - выпрямители - массивы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды - мостовые выпрямители

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диоды - ВЧ

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы - Сборки

Диоды силовые

Транзисторы - IGBT - одиночные

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали