Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI7812DN-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3
;
SI7812DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI7812DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7812DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 534.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7812DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 75В
    • Номинальный ток: 16А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Эффективное управление током
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету PPAK1212-8
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее производительными MOSFETами
    • Требуется дополнительное охлаждение для достижения максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих управления высокими токами
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах для светодиодов
    • Подходит для систем управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов
    • Преобразователи энергии для зарядных устройств
    • Драйверы для светодиодов
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления мощностью в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики SI7812DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    75 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37mOhm @ 7.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    840 pF @ 35 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7812

Техническая документация

 SI7812DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 44856 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    534 ₽
  • 10
    346 ₽
  • 100
    239 ₽
  • 500
    196 ₽
  • 3000
    159 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI7812DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7812DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 534.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7812DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 75В
    • Номинальный ток: 16А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Эффективное управление током
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету PPAK1212-8
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее производительными MOSFETами
    • Требуется дополнительное охлаждение для достижения максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих управления высокими токами
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах для светодиодов
    • Подходит для систем управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов
    • Преобразователи энергии для зарядных устройств
    • Драйверы для светодиодов
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления мощностью в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики SI7812DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    75 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37mOhm @ 7.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    840 pF @ 35 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7812

Техническая документация

 SI7812DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP32D4S-7MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
    81Кешбэк 12 баллов
    DMN3018SFG-7MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
    105Кешбэк 15 баллов
    DMP2008UFG-13MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
    160Кешбэк 24 балла
    DMN4020LFDE-7MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
    126Кешбэк 18 баллов
    ZXMN6A07FTAТранзистор: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
    122Кешбэк 18 баллов
    DMP2006UFG-7MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
    206Кешбэк 30 баллов
    DMT6010LPS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    193Кешбэк 28 баллов
    2N7002T-7-FТранзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
    40Кешбэк 6 баллов
    DMT6007LFG-13MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
    302Кешбэк 45 баллов
    ZVP3306FTAMOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
    117Кешбэк 17 баллов
    DMN1019UFDE-7MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
    126Кешбэк 18 баллов
    DMN53D0L-7MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    DMG3402L-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    25Кешбэк 3 балла
    DMP2305UVT-7MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN3010LFG-13MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
    169Кешбэк 25 баллов
    DMP3036SFG-7MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
    154Кешбэк 23 балла
    DMN65D8LW-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
    83Кешбэк 12 баллов
    DMG301NU-7MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    DMP2033UVT-7MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
    124Кешбэк 18 баллов
    DMN3016LK3-13MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
    135Кешбэк 20 баллов
    DMN3067LW-13MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
    81Кешбэк 12 баллов
    DMG301NU-13MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
    32Кешбэк 4 балла
    ZXMP6A17E6QTAТранзистор: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
    146Кешбэк 21 балл
    DMN2050L-7MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
    103Кешбэк 15 баллов
    DMN2501UFB4-7MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
    84Кешбэк 12 баллов
    ZXMN2F30FHTAMOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
    81Кешбэк 12 баллов
    DMN2026UVT-7MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
    103Кешбэк 15 баллов
    DMN3030LSS-13Транзистор: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
    114Кешбэк 17 баллов
    BSS123TAТранзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    81Кешбэк 12 баллов
    DMN3018SFG-13MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
    96Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП