SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Semiconductors — MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

• Основные параметры:
• Напряжение на разрыв (V_GS(th)): ≤ 2 V
• Разрядное сопротивление (R_D(on)): ≤ 0,055 Ω при V_DS = 20 V
• Максимальное напряжение на дренаже (V_DS(max)): 20 V
• Максимальный ток дренажа (I_D(max)): 6 A
• Форм-фактор: PPAK 1212-8
• Плюсы:
• Высокий коэффициент передачи
• Малое разрядное сопротивление
• Низкое напряжение на разрыв
• Компактный размер
• Минусы:
• Высокие потери в режиме разряда
• Необходимо учесть параметры при проектировании
• Общее назначение:
• Управление электрическими цепями
• Регулирование напряжения
• Переключение высоких токов
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы
• Системы питания
• Инверторы
• Электронные устройства управления
• Промышленное оборудование