Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SI7949DP-T1-E3
  • В избранное
  • В сравнение
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3
;
SI7949DP-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7949DP-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7949DP-T1-E3 при покупке от 1 шт 439.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7949DP-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET
    • Количество каналов: 2
    • Номинальное напряжение блокировки: 60В
    • Номинальный ток прямого тока: 3.2А
    • Форм-фактор: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долгий срок службы благодаря качественному производству
    • Малый размер и легкость в интеграции в различные электронные устройства
    • Низкое сопротивление при включении
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать правила работы с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Управление электрическими цепями
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания и преобразования энергии
    • Инверторы
    • Электронные устройства управления
    • Источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI7949DP-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    64mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Base Product Number
    SI7949

Техническая документация

 SI7949DP-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • 7031 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    439 ₽
  • 10
    278 ₽
  • 100
    192 ₽
  • 500
    154 ₽
  • 3000
    123 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7949DP-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7949DP-T1-E3 при покупке от 1 шт 439.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7949DP-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET
    • Количество каналов: 2
    • Номинальное напряжение блокировки: 60В
    • Номинальный ток прямого тока: 3.2А
    • Форм-фактор: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долгий срок службы благодаря качественному производству
    • Малый размер и легкость в интеграции в различные электронные устройства
    • Низкое сопротивление при включении
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать правила работы с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Управление электрическими цепями
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания и преобразования энергии
    • Инверторы
    • Электронные устройства управления
    • Источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI7949DP-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    64mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Base Product Number
    SI7949

Техническая документация

 SI7949DP-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS89141Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
    550Кешбэк 82 балла
    FDS6898AТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
    221Кешбэк 33 балла
    FDMQ86530LТранзистор: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
    774Кешбэк 116 баллов
    DMC2004DWK-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN3035LWN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
    143Кешбэк 21 балл
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    217Кешбэк 32 балла
    CSD86311W1723Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
    278Кешбэк 41 балл
    SI7949DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    439Кешбэк 65 баллов
    DMN2011UFX-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
    232Кешбэк 34 балла
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    739Кешбэк 110 баллов
    SI4804CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
    209Кешбэк 31 балл
    NTZD3152PT1GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    2N7002DW-TPТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
    60Кешбэк 9 баллов
    FDC6303NТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
    130Кешбэк 19 баллов
    BSD223PH6327XTSA1Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
    60Кешбэк 9 баллов
    FDG6303NТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
    64Кешбэк 9 баллов
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    324Кешбэк 48 баллов
    CSD87331Q3DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
    207Кешбэк 31 балл
    NTJD4001NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
    78Кешбэк 11 баллов
    SI7900AEDN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
    415Кешбэк 62 балла
    FDC6333CТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
    152Кешбэк 22 балла
    FW297-TL-2WТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
    241Кешбэк 36 баллов
    NDS9933AТранзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    195Кешбэк 29 баллов
    DMN67D8LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    IRF7309TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
    204Кешбэк 30 баллов
    SI6913DQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
    396Кешбэк 59 баллов
    FDPC8016SТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
    446Кешбэк 66 баллов
    FDMS3624SТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    215Кешбэк 32 балла
    DMC3028LSDX-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
    187Кешбэк 28 баллов
    BSL308CH6327XTSA1Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
    145Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП