Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SI7956DP-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3
;
SI7956DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7956DP-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7956DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 710.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7956DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) с характеристиками 2N-CH, работающим при напряжении до 150В и максимальной токовой нагрузкой 2.6А. Комплектация в пакете PPAK SO-8.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 150В
    • Максимальный ток нагрузки ID: 2.6А
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря производителю Vishay Siliconix
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета PPAK SO-8
    • Хорошая управляемость благодаря MOS-структуре
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Не подходит для высокочастотных применений из-за своей структуры
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Контроль тока в различных электрических цепях
    • Изоляция сигналов и токов между различными компонентами
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI7956DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105mOhm @ 4.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.4W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Base Product Number
    SI7956

Техническая документация

 SI7956DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2221 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    710 ₽
  • 10
    519 ₽
  • 100
    366 ₽
  • 500
    331 ₽
  • 3000
    283 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7956DP-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7956DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 710.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7956DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) с характеристиками 2N-CH, работающим при напряжении до 150В и максимальной токовой нагрузкой 2.6А. Комплектация в пакете PPAK SO-8.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 150В
    • Максимальный ток нагрузки ID: 2.6А
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря производителю Vishay Siliconix
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета PPAK SO-8
    • Хорошая управляемость благодаря MOS-структуре
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Не подходит для высокочастотных применений из-за своей структуры
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Контроль тока в различных электрических цепях
    • Изоляция сигналов и токов между различными компонентами
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI7956DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105mOhm @ 4.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.4W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Base Product Number
    SI7956

Техническая документация

 SI7956DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVMD4N03R2GТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
    361Кешбэк 54 балла
    NVMFD5483NLWFT3GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
    365Кешбэк 54 балла
    FDS6890AТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
    367Кешбэк 55 баллов
    FDMS7620SТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    386Кешбэк 57 баллов
    FDMS3604SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
    389Кешбэк 58 баллов
    FDMS3606SТранзистор
    399Кешбэк 59 баллов
    FDS3992Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
    399Кешбэк 59 баллов
    FDMC8030Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33
    412Кешбэк 61 балл
    FDMS8095ACТранзистор: DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M
    418Кешбэк 62 балла
    FDPC8013SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM
    477Кешбэк 71 балл
    FDS3890Транзистор: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
    488Кешбэк 73 балла
    FDMS3669SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
    492Кешбэк 73 балла
    FDMC89521LТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8POWER33
    532Кешбэк 79 баллов
    NTMFD4C20NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
    534Кешбэк 80 баллов
    FDMS3600SТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    596Кешбэк 89 баллов
    FDMS9600SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56
    633Кешбэк 94 балла
    FDPC8014SТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
    671Кешбэк 100 баллов
    FDMQ86530LТранзистор: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
    794Кешбэк 119 баллов
    FDMC8097ACТранзистор: MOSFET N/P-CH 150V
    978Кешбэк 146 баллов
    FDMS8090Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
    1 354Кешбэк 203 балла
    PMDPB95XNE,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
    15.2Кешбэк 2 балла
    2N7002BKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
    53Кешбэк 7 баллов
    NX3020NAKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP
    55Кешбэк 8 баллов
    2N7002PS,125Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    55Кешбэк 8 баллов
    2N7002PS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    55Кешбэк 8 баллов
    BSS84AKS,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
    59Кешбэк 8 баллов
    BSS138BKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    61Кешбэк 9 баллов
    NX3008PBKS,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
    65Кешбэк 9 баллов
    NX3008CBKS,115Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP
    66Кешбэк 9 баллов
    BSS84AKV,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 50V 170MA SOT666
    72Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Варикапы и Варакторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП