Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SI7956DP-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3
;
SI7956DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7956DP-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7956DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 693.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7956DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) с характеристиками 2N-CH, работающим при напряжении до 150В и максимальной токовой нагрузкой 2.6А. Комплектация в пакете PPAK SO-8.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 150В
    • Максимальный ток нагрузки ID: 2.6А
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря производителю Vishay Siliconix
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета PPAK SO-8
    • Хорошая управляемость благодаря MOS-структуре
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Не подходит для высокочастотных применений из-за своей структуры
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Контроль тока в различных электрических цепях
    • Изоляция сигналов и токов между различными компонентами
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI7956DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105mOhm @ 4.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.4W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Base Product Number
    SI7956

Техническая документация

 SI7956DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2221 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    693 ₽
  • 10
    506 ₽
  • 100
    357 ₽
  • 500
    323 ₽
  • 3000
    276 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7956DP-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7956DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 693.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7956DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) с характеристиками 2N-CH, работающим при напряжении до 150В и максимальной токовой нагрузкой 2.6А. Комплектация в пакете PPAK SO-8.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 150В
    • Максимальный ток нагрузки ID: 2.6А
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря производителю Vishay Siliconix
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета PPAK SO-8
    • Хорошая управляемость благодаря MOS-структуре
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Не подходит для высокочастотных применений из-за своей структуры
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Контроль тока в различных электрических цепях
    • Изоляция сигналов и токов между различными компонентами
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI7956DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105mOhm @ 4.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.4W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Base Product Number
    SI7956

Техническая документация

 SI7956DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIA921EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
    185Кешбэк 27 баллов
    SIA975DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SIA923EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SI5936DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
    193Кешбэк 28 баллов
    SI4804CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
    209Кешбэк 31 балл
    SI4599DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    SI4554DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
    217Кешбэк 32 балла
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    217Кешбэк 32 балла
    SI4214DDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
    250Кешбэк 37 баллов
    SI6954ADQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    SIZ340DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3
    267Кешбэк 40 баллов
    SI6926ADQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
    276Кешбэк 41 балл
    SI4564DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
    276Кешбэк 41 балл
    SI4909DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
    291Кешбэк 43 балла
    SI7212DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
    304Кешбэк 45 баллов
    SI7288DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
    308Кешбэк 46 баллов
    SQJ844AEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4931DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
    328Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4948BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    SQJ202EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
    371Кешбэк 55 баллов
    SIZ902DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    376Кешбэк 56 баллов
    SI7998DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    396Кешбэк 59 баллов
    SI7216DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7216DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7900AEDN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
    415Кешбэк 62 балла
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    426Кешбэк 63 балла
    SI4559ADY-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    439Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП