Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3
;
SI7998DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7998DP-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7998DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 396.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7998DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Количество каналов: 2N-CH (двухканальный)
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 30В
    • Номинальный ток нагрузки: 25А
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых напряжениях
    • Малый ток стока при отключенном транзисторе
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Универсальность применения
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Зависимость характеристик от температуры
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Высокие затраты на производство по сравнению с биполярными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Совместная работа с другими компонентами для создания сложных схем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Игровые приставки и компьютеры
    • Беспроводные устройства
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SI7998DP-T1-GE3

Техническая документация

SI7998DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 5999 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    396 ₽
  • 10
    253 ₽
  • 100
    172 ₽
  • 1000
    130 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7998DP-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7998DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 396.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7998DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Количество каналов: 2N-CH (двухканальный)
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 30В
    • Номинальный ток нагрузки: 25А
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых напряжениях
    • Малый ток стока при отключенном транзисторе
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Универсальность применения
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Зависимость характеристик от температуры
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Высокие затраты на производство по сравнению с биполярными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Совместная работа с другими компонентами для создания сложных схем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Игровые приставки и компьютеры
    • Беспроводные устройства
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SI7998DP-T1-GE3

Техническая документация

SI7998DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории