Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI8416DB-T2-E1
  • В избранное
  • В сравнение
SI8416DB-T2-E1

SI8416DB-T2-E1

SI8416DB-T2-E1
;
SI8416DB-T2-E1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI8416DB-T2-E1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOTВсе характеристики

Минимальная цена SI8416DB-T2-E1 при покупке от 1 шт 202.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI8416DB-T2-E1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI8416DB-T2-E1

SI8416DB-T2-E1 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT

  • Основные параметры:
    • Напряжение ведущей ноги (VGS(th)): 8В
    • Максимальный ток (ID): 16А
    • Пакет: 6MICRO FOOT
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность (16А)
    • Низкое напряжение ведущей ноги (8В)
    • Компактный размер (6MICRO FOOT)
    • Высокая надежность и стабильность
  • Минусы:
    • Только для низковольтных приложений (до 8В)
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями в различных приборах и системах
    • Регулирование тока в электронных устройствах
    • Использование в источниках питания, преобразователях энергии
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электронных играх и игровых консолях
    • Маломощных источниках питания
    • Преобразователях напряжения
    • Других приборах, требующих управления током с высокой токовой способностью
Выбрано: Показать

Характеристики SI8416DB-T2-E1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    8 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1470 pF @ 4 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.77W (Ta), 13W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-Micro Foot™ (1.5x1)
  • Корпус
    6-UFBGA
  • Base Product Number
    SI8416

Техническая документация

 SI8416DB-T2-E1.pdf
pdf. 0 kb
  • 376 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    202 ₽
  • 10
    126 ₽
  • 500
    64 ₽
  • 3000
    49 ₽
  • 9000
    42 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI8416DB-T2-E1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOTВсе характеристики

Минимальная цена SI8416DB-T2-E1 при покупке от 1 шт 202.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI8416DB-T2-E1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI8416DB-T2-E1

SI8416DB-T2-E1 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT

  • Основные параметры:
    • Напряжение ведущей ноги (VGS(th)): 8В
    • Максимальный ток (ID): 16А
    • Пакет: 6MICRO FOOT
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность (16А)
    • Низкое напряжение ведущей ноги (8В)
    • Компактный размер (6MICRO FOOT)
    • Высокая надежность и стабильность
  • Минусы:
    • Только для низковольтных приложений (до 8В)
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями в различных приборах и системах
    • Регулирование тока в электронных устройствах
    • Использование в источниках питания, преобразователях энергии
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электронных играх и игровых консолях
    • Маломощных источниках питания
    • Преобразователях напряжения
    • Других приборах, требующих управления током с высокой токовой способностью
Выбрано: Показать

Характеристики SI8416DB-T2-E1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    8 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1470 pF @ 4 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.77W (Ta), 13W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-Micro Foot™ (1.5x1)
  • Корпус
    6-UFBGA
  • Base Product Number
    SI8416

Техническая документация

 SI8416DB-T2-E1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI3442BDV-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
    83Кешбэк 12 баллов
    SI8413DB-T1-E1MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT
    267Кешбэк 40 баллов
    SI4890DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    834Кешбэк 125 баллов
    SIHD3N50D-E3MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
    131Кешбэк 19 баллов
    SI7804DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
    170Кешбэк 25 баллов
    IRF720STRRPBFMOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
    293Кешбэк 43 балла
    IRF9Z24STRRPBFMOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFZ24STRLPBFMOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
    371Кешбэк 55 баллов
    SI4451DY-T1-E3MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
    1 598Кешбэк 239 баллов
    IRFD210PBFMOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
    150Кешбэк 22 балла
    IRFBC30STRLPBFMOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
    447Кешбэк 67 баллов
    SIHW33N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
    988Кешбэк 148 баллов
    SI4408DY-T1-E3MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
    667Кешбэк 100 баллов
    IRF740ASTRRPBFMOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
    417Кешбэк 62 балла
    IRFR9120TRPBFMOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
    489Кешбэк 73 балла
    IRLR014MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    261Кешбэк 39 баллов
    IRF540SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
    333Кешбэк 49 баллов
    IRFP264PBFТранзистор: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
    2 021Кешбэк 303 балла
    SI9424DYMOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
    302Кешбэк 45 баллов
    SI2308BDS-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
    78Кешбэк 11 баллов
    SUD50P04-09L-E3MOSFET P-CH 40V 50A TO252
    445Кешбэк 66 баллов
    STB16N65M5MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
    757Кешбэк 113 баллов
    ZXMN15A27KTCMOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
    277Кешбэк 41 балл
    HUF75329D3SMOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
    163Кешбэк 24 балла
    FDD5670POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
    232Кешбэк 34 балла
    MTM761110LBFMOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
    85Кешбэк 12 баллов
    MTM761230LBFMOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6
    120Кешбэк 18 баллов
    MTM982400BBFMOSFET N-CH 40V 7A SO8-F1-B
    167Кешбэк 25 баллов
    FK3306010LMOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3
    60Кешбэк 9 баллов
    RFP15N05LMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3
    250Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП