Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1
;
SI8800EDB-T2-E1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI8800EDB-T2-E1 при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI8800EDB-T2-E1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VGS(th)): ≤3 В
    • Напряжение между дреном и источниковым каналом (VDS): 20 В
    • Размеры пакета: 4MICROFOOT
    • Тип MOSFET: N-канальный
  • Плюсы:
    • Низкое напряжение вдоль канала обеспечивает эффективное управление током при низких напряжениях.
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному производству.
    • Малый размер пакета позволяет использовать его в компактных устройствах.
  • Минусы:
    • Для высокочастотных применений может потребоваться дополнительная компенсация для уменьшения шумов.
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению при высоких нагрузках.
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, требующих управления током.
    • Подходит для применения в системах питания, преобразователях энергии, драйверах и других электронных схемах.
  • В каких устройствах применяется:
    • Беспроводные устройства (мобильные телефоны, Wi-Fi адаптеры).
    • Автомобильные системы (адаптеры зарядки, регуляторы напряжения).
    • Электронные устройства бытовой техники (трансформаторы питания).
    • Системы управления двигателем.
Выбрано: Показать

Характеристики SI8800EDB-T2-E1

Техническая документация

SI8800EDB-T2-E1.pdf
pdf. 0 kb
  • 7324 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 100
    43.5 ₽
  • 1000
    36 ₽
  • 6000
    24.3 ₽
  • 15000
    23.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI8800EDB-T2-E1 при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI8800EDB-T2-E1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VGS(th)): ≤3 В
    • Напряжение между дреном и источниковым каналом (VDS): 20 В
    • Размеры пакета: 4MICROFOOT
    • Тип MOSFET: N-канальный
  • Плюсы:
    • Низкое напряжение вдоль канала обеспечивает эффективное управление током при низких напряжениях.
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному производству.
    • Малый размер пакета позволяет использовать его в компактных устройствах.
  • Минусы:
    • Для высокочастотных применений может потребоваться дополнительная компенсация для уменьшения шумов.
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению при высоких нагрузках.
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, требующих управления током.
    • Подходит для применения в системах питания, преобразователях энергии, драйверах и других электронных схемах.
  • В каких устройствах применяется:
    • Беспроводные устройства (мобильные телефоны, Wi-Fi адаптеры).
    • Автомобильные системы (адаптеры зарядки, регуляторы напряжения).
    • Электронные устройства бытовой техники (трансформаторы питания).
    • Системы управления двигателем.
Выбрано: Показать

Характеристики SI8800EDB-T2-E1

Техническая документация

SI8800EDB-T2-E1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории