Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SIA537EDJ-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3
;
SIA537EDJ-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIA537EDJ-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6LВсе характеристики

Минимальная цена SIA537EDJ-T1-GE3 при покупке от 1 шт 172.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIA537EDJ-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N/P-канальный
    • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 12V/20V
    • Максимальная токовая нагрузка (ID): 1.3A
    • Тип корпуса: SC-70-6L
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий коэффициент включения VGS(TH)
    • Малый размер корпуса для компактного монтажа
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Максимальный ток может быть недостаточным для некоторых приложений
    • Некоторые модели могут иметь небольшую мощность
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных цепях
    • Переключение высоковольтных нагрузок
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы питания
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Модули управления двигателем
    • Электронные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIA537EDJ-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V, 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    455pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    7.8W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Base Product Number
    SIA537

Техническая документация

 SIA537EDJ-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 11999 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    172 ₽
  • 100
    70 ₽
  • 1000
    48 ₽
  • 6000
    39 ₽
  • 24000
    33.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIA537EDJ-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6LВсе характеристики

Минимальная цена SIA537EDJ-T1-GE3 при покупке от 1 шт 172.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIA537EDJ-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N/P-канальный
    • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 12V/20V
    • Максимальная токовая нагрузка (ID): 1.3A
    • Тип корпуса: SC-70-6L
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий коэффициент включения VGS(TH)
    • Малый размер корпуса для компактного монтажа
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Максимальный ток может быть недостаточным для некоторых приложений
    • Некоторые модели могут иметь небольшую мощность
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных цепях
    • Переключение высоковольтных нагрузок
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы питания
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Модули управления двигателем
    • Электронные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIA537EDJ-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V, 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    455pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    7.8W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Base Product Number
    SIA537

Техническая документация

 SIA537EDJ-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMC2400UV-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
    58Кешбэк 8 баллов
    DMC3021LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
    149Кешбэк 22 балла
    DMP3036SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8-SO
    224Кешбэк 33 балла
    DMN4026SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
    150Кешбэк 22 балла
    DMN3016LDN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
    156Кешбэк 23 балла
    DMC1016UPD-13Транзистор: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
    176Кешбэк 26 баллов
    DMC4050SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
    187Кешбэк 28 баллов
    DMP4050SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
    371Кешбэк 55 баллов
    DMG6602SVTQ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
    91Кешбэк 13 баллов
    ZXMN3A04DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    472Кешбэк 70 баллов
    ZXMP6A16DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
    322Кешбэк 48 баллов
    DMN2400UV-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
    85Кешбэк 12 баллов
    ZXMN3F31DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
    241Кешбэк 36 баллов
    DMP3098LSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
    141Кешбэк 21 балл
    DMG1026UV-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563
    97Кешбэк 14 баллов
    DMHC3025LSDQ-13Транзистор
    263Кешбэк 39 баллов
    DMN63D8LV-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
    45Кешбэк 6 баллов
    DMC1015UPD-13Транзистор: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
    215Кешбэк 32 балла
    DMG6602SVT-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
    52Кешбэк 7 баллов
    DMC2700UDM-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT26
    37Кешбэк 5 баллов
    DMG1016UDW-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
    68Кешбэк 10 баллов
    DMN53D0LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
    31Кешбэк 4 балла
    DMN601VKQ-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
    76Кешбэк 11 баллов
    DMC2020USD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
    215Кешбэк 32 балла
    DMC4040SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
    234Кешбэк 35 баллов
    DMN6040SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
    104Кешбэк 15 баллов
    DMG6601LVT-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
    74Кешбэк 11 баллов
    DMG1023UV-7Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
    97Кешбэк 14 баллов
    ZXMN6A11DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
    229Кешбэк 34 балла
    ZXMN2A04DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
    509Кешбэк 76 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП