Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SIA938DJT-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3
;
SIA938DJT-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIA938DJT-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SIA938DJT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 176.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIA938DJT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix — это дуアルной н-канальной MOSFET с напряжением разрежения 20 В (D-S).

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрежения D-S (VDS) = 20 В
    • Ток смещения (IDSS) = 6 А
    • Минимальное значение коэффициента передачи (Kon) = 2.5 мС/В
    • Температурный диапазон работы: -40°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокий ток смещения
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимо внимание к выбору подходящего термического решения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Уменьшение искажений в аудиосистемах
    • Использование в электронных цепях управления
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Электроника питания
    • Мощные источники питания
    • Устройства с беспроводной связью
    • Электронные системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIA938DJT-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21.5mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.5nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    425pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Base Product Number
    SIA938

Техническая документация

 SIA938DJT-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 8438 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    176 ₽
  • 100
    72 ₽
  • 1000
    50 ₽
  • 6000
    39.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIA938DJT-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SIA938DJT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 176.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIA938DJT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix — это дуアルной н-канальной MOSFET с напряжением разрежения 20 В (D-S).

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрежения D-S (VDS) = 20 В
    • Ток смещения (IDSS) = 6 А
    • Минимальное значение коэффициента передачи (Kon) = 2.5 мС/В
    • Температурный диапазон работы: -40°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокий ток смещения
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимо внимание к выбору подходящего термического решения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Уменьшение искажений в аудиосистемах
    • Использование в электронных цепях управления
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Электроника питания
    • Мощные источники питания
    • Устройства с беспроводной связью
    • Электронные системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIA938DJT-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21.5mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.5nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    425pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Base Product Number
    SIA938

Техническая документация

 SIA938DJT-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI1900DL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
    169Кешбэк 25 баллов
    SIA938DJT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    176Кешбэк 26 баллов
    SQ3987EV-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP
    188Кешбэк 28 баллов
    SQ1912EH-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
    197Кешбэк 29 баллов
    SI5948DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
    199Кешбэк 29 баллов
    SQ3985EV-T1_BE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
    201Кешбэк 30 баллов
    SIZ346DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
    211Кешбэк 31 балл
    SIZ340BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    213Кешбэк 31 балл
    SI4946CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
    230Кешбэк 34 балла
    SIZ342ADT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3
    235Кешбэк 35 баллов
    SI7972DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
    245Кешбэк 36 баллов
    SQJ946EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
    247Кешбэк 37 баллов
    SIZ320DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
    252Кешбэк 37 баллов
    SQJB70EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    262Кешбэк 39 баллов
    SQJB68EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    266Кешбэк 39 баллов
    SQJB70EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    281Кешбэк 42 балла
    SQJ992EP-T2_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    281Кешбэк 42 балла
    SQS944ENW-T1_GE3MOSFET N-CHAN 40V
    281Кешбэк 42 балла
    SQJB04ELP-T1_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    283Кешбэк 42 балла
    SQJB68EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    285Кешбэк 42 балла
    SQ4946CEY-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
    290Кешбэк 43 балла
    SI6562CDQ-T1-BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
    294Кешбэк 44 балла
    SIS590DN-T1-GE3Транзистор: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
    294Кешбэк 44 балла
    SQJ912DEP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    298Кешбэк 44 балла
    SQJ912BEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
    298Кешбэк 44 балла
    SQJB02ELP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    309Кешбэк 46 баллов
    SQJ968EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    309Кешбэк 46 баллов
    SQJ570EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175
    309Кешбэк 46 баллов
    SQJ958EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    311Кешбэк 46 баллов
    SQ9945BEY-T1_BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
    311Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули триодных тиристоров
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП