Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHB10N40D-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3
;
SIHB10N40D-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIHB10N40D-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 400V 10A TO263Все характеристики

Минимальная цена SIHB10N40D-GE3 при покупке от 1 шт 462.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB10N40D-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 400V 10A TO263

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 400В
    • Номинальный ток при непрерывной нагрузке: 10А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO263
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент дросселирования
    • Высокий КПД
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к обратному напряжению
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений без дополнительных мер по управлению переходными процессами
    • Наличие емкости паразитного колеса может вызвать проблемы при использовании в быстродействующих схемах
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в источниках питания
    • Регулирует напряжение в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Беспроводные устройства
    • Электронные автомобили
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB10N40D-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    526 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    147W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    SIHB10

Техническая документация

 SIHB10N40D-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2914 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    462 ₽
  • 10
    296 ₽
  • 100
    202 ₽
  • 500
    173 ₽
  • 2000
    137 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIHB10N40D-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 400V 10A TO263Все характеристики

Минимальная цена SIHB10N40D-GE3 при покупке от 1 шт 462.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB10N40D-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 400V 10A TO263

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 400В
    • Номинальный ток при непрерывной нагрузке: 10А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO263
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент дросселирования
    • Высокий КПД
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к обратному напряжению
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений без дополнительных мер по управлению переходными процессами
    • Наличие емкости паразитного колеса может вызвать проблемы при использовании в быстродействующих схемах
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в источниках питания
    • Регулирует напряжение в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Беспроводные устройства
    • Электронные автомобили
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB10N40D-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    526 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    147W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    SIHB10

Техническая документация

 SIHB10N40D-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFS4310ZPBFMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    463Кешбэк 69 баллов
    AUIRF3415AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    265Кешбэк 39 баллов
    IRLR024NPBFMOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    138Кешбэк 20 баллов
    IRFI3306GPBFMOSFET N-CH 60V 71A TO220
    443Кешбэк 66 баллов
    IRFSL7734PBFIRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
    311Кешбэк 46 баллов
    IRF7470TRPBFMOSFET N-CH 40V 10A 8SO
    199Кешбэк 29 баллов
    AUIRFS8408AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    294Кешбэк 44 балла
    IRFB3256PBFMOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
    331Кешбэк 49 баллов
    IRF630NSPBFHEXFET POWER MOSFET
    265Кешбэк 39 баллов
    IRLR3705ZPBFHEXFET POWER MOSFET
    369Кешбэк 55 баллов
    AUIRFU1010ZMOSFET N-CH 55V 42A TO251-3
    334Кешбэк 50 баллов
    IRFH7921TRPBFMOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN
    348Кешбэк 52 балла
    IRFP4868PBFMOSFET N-CH 300V 70A TO247AC
    1 186Кешбэк 177 баллов
    IRLR9343PBFDIGITAL AUDIO MOSFET
    314Кешбэк 47 баллов
    IRF1010NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
    248Кешбэк 37 баллов
    IRF7834TRPBFMOSFET N-CH 30V 19A 8SO
    530Кешбэк 79 баллов
    AUIRFP4004MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
    691Кешбэк 103 балла
    AUIRFSL8405MOSFET N-CH 40V 120A TO262
    217Кешбэк 32 балла
    IRF840MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    713Кешбэк 106 баллов
    AUIRFZ48ZSMOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
    348Кешбэк 52 балла
    IRLR3103PBFMOSFET N-CH 30V 55A DPAK
    221Кешбэк 33 балла
    IRLD110PBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
    1 076Кешбэк 161 балл
    IRF6205.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
    162Кешбэк 24 балла
    SI4420DYMOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
    158Кешбэк 23 балла
    2N6760N-CHANNEL POWER MOSFET
    3 678Кешбэк 551 балл
    IRL2910SPBFMOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
    256Кешбэк 38 баллов
    IRLR8743PBFIRLR8743 - HEXFET POWER MOSFET
    392Кешбэк 58 баллов
    IRF7807ZPBFMOSFET N-CH 30V 11A 8SO
    118Кешбэк 17 баллов
    IRF3805SPBFMOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    1 066Кешбэк 159 баллов
    IRFB4410ZGPBFMOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
    1 103Кешбэк 165 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП