Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3
;
SIHB23N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHB23N60E-GE3 при покупке от 1 шт 589.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB23N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с напряжением срабатывания 600В и током прямого тока 23А, используемый в пакете D2PAK.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение срабатывания: 600В
    • Ток прямого тока: 23А
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки
    • Контрольное напряжение низкое
    • Размеры компактные для мощности
  • Минусы:
    • Неустойчивость к перегреву
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Наличие емкости гейта может вызывать дисторсию сигнала
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электронных устройствах
    • Конвертация напряжений
    • Изоляция сигналов
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Блоки питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB23N60E-GE3

Техническая документация

SIHB23N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1086 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    589 ₽
  • 50
    351 ₽
  • 100
    350 ₽
  • 500
    344 ₽
  • 1000
    328 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHB23N60E-GE3 при покупке от 1 шт 589.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB23N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с напряжением срабатывания 600В и током прямого тока 23А, используемый в пакете D2PAK.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение срабатывания: 600В
    • Ток прямого тока: 23А
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки
    • Контрольное напряжение низкое
    • Размеры компактные для мощности
  • Минусы:
    • Неустойчивость к перегреву
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Наличие емкости гейта может вызывать дисторсию сигнала
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электронных устройствах
    • Конвертация напряжений
    • Изоляция сигналов
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Блоки питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB23N60E-GE3

Техническая документация

SIHB23N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории