Вход/Регистрация
SQS484EN-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
SIHB5N80AE-GE3
SIHB5N80AE-GE3
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SIHB5N80AE-GE3
- Описание:E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-Все характеристики
Минимальная цена SIHB5N80AE-GE3 при покупке от 1 шт 326.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB5N80AE-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 990 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1326 ₽
- 10188 ₽
- 100179 ₽
- 500131 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SIHB5N80AE-GE3
- Описание:E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-Все характеристики
Минимальная цена SIHB5N80AE-GE3 при покупке от 1 шт 326.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB5N80AE-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SIHB5N80AE-GE3
SIHB5N80AE-GE3 Vishay E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-)
- Основные параметры:
- Максимальное напряжение (VDS): 80 В
- Максимальный ток (ID): 45 А
- Тип носителя заряда: N-channel
- Технология производства: Si
- Коллекторный сопротивление: ≤ 1.0 Ω (при TC = 25 °C)
- Плюсы:
- Высокая проводимость
- Низкое коллекторное сопротивление
- Устойчивость к импульсным нагрузкам
- Компактный размер
- Долгий срок службы
- Минусы:
- Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
- Возможны проблемы с электромагнитной совместимостью без должной защиты
- Общее назначение:
- Регулирование напряжения в электронных устройствах
- Преобразование напряжений в источниках питания
- Изоляция и управление высокими токами
- В каких устройствах применяется:
- Источники питания для компьютеров и серверов
- Автомобильные системы управления двигателем
- Индуктивные преобразователи мощности
- Системы управления приводами
- Сетевые адаптеры и зарядные устройства
Выбрано: Показать
Характеристики SIHB5N80AE-GE3
Техническая документация
SIHB5N80AE-GE3.pdf pdf. 0 kb