Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3
;
SIHD14N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHD14N60E-GE3 при покупке от 1 шт 410.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHD14N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 600В 13А DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 600В
    • Размер токов: 13А (максимальный ток)
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Устойчивость к импульсным нагрузкам
    • Малый размер и легкость для интеграции в модули
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких токах
    • Существуют ограничения по рабочей температуре
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверах для электронных устройств
    • Изоляционных трансформаторах
    • Системах управления двигателем
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи энергии
Выбрано: Показать

Характеристики SIHD14N60E-GE3

Техническая документация

SIHD14N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 371 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    410 ₽
  • 5
    344 ₽
  • 10
    315 ₽
  • 75
    294 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHD14N60E-GE3 при покупке от 1 шт 410.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHD14N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 600В 13А DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 600В
    • Размер токов: 13А (максимальный ток)
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Устойчивость к импульсным нагрузкам
    • Малый размер и легкость для интеграции в модули
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких токах
    • Существуют ограничения по рабочей температуре
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверах для электронных устройств
    • Изоляционных трансформаторах
    • Системах управления двигателем
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи энергии
Выбрано: Показать

Характеристики SIHD14N60E-GE3

Техническая документация

SIHD14N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории