Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3
;
SIHD2N80E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHD2N80E-GE3 при покупке от 1 шт 370.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHD2N80E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 2.8А
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость интеграции
    • Низкий коэффициент динамического сопротивления
    • Хорошая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки и разряда
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Контроль тока в различных приборах и системах
    • Использование в преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания и преобразования энергии
    • Электронные приборы и устройства
    • Промышленные системы автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики SIHD2N80E-GE3

Техническая документация

SIHD2N80E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 65088 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    370 ₽
  • 10
    235 ₽
  • 100
    160 ₽
  • 1000
    115 ₽
  • 6000
    100 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHD2N80E-GE3 при покупке от 1 шт 370.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHD2N80E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 2.8А
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость интеграции
    • Низкий коэффициент динамического сопротивления
    • Хорошая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки и разряда
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Контроль тока в различных приборах и системах
    • Использование в преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания и преобразования энергии
    • Электронные приборы и устройства
    • Промышленные системы автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики SIHD2N80E-GE3

Техническая документация

SIHD2N80E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории