Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHD7N60E-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3
;
SIHD7N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIHD7N60E-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена SIHD7N60E-GE3 при покупке от 1 шт 392.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHD7N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-Ч 600В 7А DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Максимальный ток: 7А
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Хорошая теплопроводность благодаря DPAK корпусу
    • Малый динамический сопротивление
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогами
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электронных устройствах потребления энергии
    • Работа в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Устройства для бытовой электроники
    • Системы управления электродвигателями
    • Источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIHD7N60E-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    680 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    SIHD7

Техническая документация

 SIHD7N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3325 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    392 ₽
  • 10
    313 ₽
  • 100
    278 ₽
  • 500
    225 ₽
  • 1000
    208 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIHD7N60E-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена SIHD7N60E-GE3 при покупке от 1 шт 392.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHD7N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-Ч 600В 7А DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Максимальный ток: 7А
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Хорошая теплопроводность благодаря DPAK корпусу
    • Малый динамический сопротивление
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогами
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электронных устройствах потребления энергии
    • Работа в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Устройства для бытовой электроники
    • Системы управления электродвигателями
    • Источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIHD7N60E-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    680 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    SIHD7

Техническая документация

 SIHD7N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFI630GPBFMOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
    375Кешбэк 56 баллов
    IRF9510SPBFMOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
    376Кешбэк 56 баллов
    IRF9Z24PBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
    377Кешбэк 56 баллов
    IRF9630PBFТранзистор: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
    379Кешбэк 56 баллов
    SUD50P04-08-GE3MOSFET P-CH 40V 50A TO252
    381Кешбэк 57 баллов
    IRFZ20PBFMOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
    383Кешбэк 57 баллов
    IRFU014PBFMOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
    385Кешбэк 57 баллов
    IRFI830GPBFMOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
    389Кешбэк 58 баллов
    SIHD7N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
    392Кешбэк 58 баллов
    IRF610SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
    392Кешбэк 58 баллов
    SIHU6N65E-GE3MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
    397Кешбэк 59 баллов
    IRFIBF20GPBFMOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
    403Кешбэк 60 баллов
    IRFI620GPBFMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
    404Кешбэк 60 баллов
    IRFU9310PBFТранзистор: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
    411Кешбэк 61 балл
    IRFIZ48GPBFMOSFET N-CH 60V 37A TO220-3
    411Кешбэк 61 балл
    IRFZ44PBFMOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    417Кешбэк 62 балла
    IRFIBE30GPBFMOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
    421Кешбэк 63 балла
    SIR416DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
    423Кешбэк 63 балла
    IRFU1N60APBFMOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
    425Кешбэк 63 балла
    IRL640SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
    427Кешбэк 64 балла
    IRFI644GPBFMOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
    433Кешбэк 64 балла
    SI4090DY-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
    434Кешбэк 65 баллов
    IRF830ALPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
    435Кешбэк 65 баллов
    IRFI9Z14GPBFMOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3
    437Кешбэк 65 баллов
    IRFP9240PBFТранзистор: MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
    441Кешбэк 66 баллов
    SI4455DY-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
    444Кешбэк 66 баллов
    IRFBG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
    444Кешбэк 66 баллов
    SI4464DY-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
    453Кешбэк 67 баллов
    IRF9630SPBFТранзистор: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    464Кешбэк 69 баллов
    SIHP15N50E-GE3MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
    464Кешбэк 69 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП