Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3
;
SIHF12N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHF12N60E-GE3 при покупке от 1 шт 571.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHF12N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3 — это MOSFET N-канальный транзистор Vishay Siliconix с напряжением вилки 600 В и током тока 12 А, установленный в корпусе TO220.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вилки (VDS(on)): 600 В
    • Ток тока (ID(on)): 12 А
    • Коэффициент сопротивления (RDS(on)): 5.4 мО
    • Температура корпуса (TC): -55 °C до +175 °C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Малый коэффициент сопротивления
    • Высокая надежность
    • Разнообразие применений
  • Минусы:
    • Требует внимания к проектированию системы охлаждения из-за тепловых характеристик
    • Возможны проблемы при работе в условиях высоких температур без должного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в инверторах для управления двигателем
    • Интеграция в блоки управления
    • Устройства с высокими требованиями к мощности
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Электронных системах потребителей
    • Блоках питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIHF12N60E-GE3

Техническая документация

SIHF12N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 699 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    571 ₽
  • 10
    425 ₽
  • 100
    297 ₽
  • 500
    242 ₽
  • 1000
    232 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHF12N60E-GE3 при покупке от 1 шт 571.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHF12N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3 — это MOSFET N-канальный транзистор Vishay Siliconix с напряжением вилки 600 В и током тока 12 А, установленный в корпусе TO220.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вилки (VDS(on)): 600 В
    • Ток тока (ID(on)): 12 А
    • Коэффициент сопротивления (RDS(on)): 5.4 мО
    • Температура корпуса (TC): -55 °C до +175 °C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Малый коэффициент сопротивления
    • Высокая надежность
    • Разнообразие применений
  • Минусы:
    • Требует внимания к проектированию системы охлаждения из-за тепловых характеристик
    • Возможны проблемы при работе в условиях высоких температур без должного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в инверторах для управления двигателем
    • Интеграция в блоки управления
    • Устройства с высокими требованиями к мощности
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Электронных системах потребителей
    • Блоках питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIHF12N60E-GE3

Техническая документация

SIHF12N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории