Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3
;
SIHF30N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHF30N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1088.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHF30N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Vishay Semiconductors. MOSFET является ненаправленным полупроводниковым транзистором с высоким коэффициентом передачи.

  • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 3.0 В
  • Номинальное напряжение блокировки VDS: 600 В
  • Номинальный ток пропускания ID: 29 А
  • Тип корпуса: TO220

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении ввода
  • Малый коэффициент транс conductance
  • Высокая надежность и долговечность
  • Небольшие размеры корпуса для TO220

Минусы:

  • Высокие потери при работе в условиях, требующих высокой частоты
  • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках

Общее назначение:

MOSFET SIHF30N60E-GE3 используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокий уровень проводимости и низкий уровень энергетических потерь. Он подходит для применения в:

  • Питательных цепях
  • Измерительных приборах
  • Промышленном оборудовании
  • Автомобильной электронике
  • В телекоммуникационных системах
Выбрано: Показать

Характеристики SIHF30N60E-GE3

Техническая документация

SIHF30N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1007 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 088 ₽
  • 10
    735 ₽
  • 100
    533 ₽
  • 500
    520 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHF30N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1088.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHF30N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Vishay Semiconductors. MOSFET является ненаправленным полупроводниковым транзистором с высоким коэффициентом передачи.

  • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 3.0 В
  • Номинальное напряжение блокировки VDS: 600 В
  • Номинальный ток пропускания ID: 29 А
  • Тип корпуса: TO220

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении ввода
  • Малый коэффициент транс conductance
  • Высокая надежность и долговечность
  • Небольшие размеры корпуса для TO220

Минусы:

  • Высокие потери при работе в условиях, требующих высокой частоты
  • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках

Общее назначение:

MOSFET SIHF30N60E-GE3 используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокий уровень проводимости и низкий уровень энергетических потерь. Он подходит для применения в:

  • Питательных цепях
  • Измерительных приборах
  • Промышленном оборудовании
  • Автомобильной электронике
  • В телекоммуникационных системах
Выбрано: Показать

Характеристики SIHF30N60E-GE3

Техническая документация

SIHF30N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории