Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SIHF9630S-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHF9630S-GE3

SIHF9630S-GE3

SIHF9630S-GE3
;
SIHF9630S-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHF9630S-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена SIHF9630S-GE3 при покупке от 1 шт 365.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHF9630S-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHF9630S-GE3

SIHF9630S-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение блокировки: 200В
    • Номинальная токовая способность: 6.5А
    • Форм-фактор: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость в установке
    • Высокий коэффициент передачи (high transconductance)
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие токовые потери при высоких температурах
    • Требует дополнительного охлаждения для работы на максимальных нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения в различных электронных устройствах
    • Применение в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы энергоснабжения и управления в бытовой технике
    • Мощные электронные устройства и преобразователи
    • Источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIHF9630S-GE3

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    800mOhm @ 3.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 74W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    SIHF9630

Техническая документация

 SIHF9630S-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 995 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    365 ₽
  • 10
    272 ₽
  • 100
    185 ₽
  • 1000
    136 ₽
  • 3000
    116 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHF9630S-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена SIHF9630S-GE3 при покупке от 1 шт 365.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHF9630S-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHF9630S-GE3

SIHF9630S-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение блокировки: 200В
    • Номинальная токовая способность: 6.5А
    • Форм-фактор: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость в установке
    • Высокий коэффициент передачи (high transconductance)
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие токовые потери при высоких температурах
    • Требует дополнительного охлаждения для работы на максимальных нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения в различных электронных устройствах
    • Применение в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы энергоснабжения и управления в бытовой технике
    • Мощные электронные устройства и преобразователи
    • Источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIHF9630S-GE3

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    800mOhm @ 3.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 74W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    SIHF9630

Техническая документация

 SIHF9630S-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ454EP-T1_BE3N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
    351Кешбэк 52 балла
    IRFB11N50APBF-BE3MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
    351Кешбэк 52 балла
    IRFR014TRLPBF-BE3MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    355Кешбэк 53 балла
    IRFR014PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ444EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQD40131EL_GE3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
    355Кешбэк 53 балла
    SQJA76EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ488EP-T2_GE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ411EP-T1_GE3MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ459EP-T1_BE3P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQJA80EP-T1_BE3N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SIHF9630STRL-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    355Кешбэк 53 балла
    SIR882BDP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
    357Кешбэк 53 балла
    SIRA01DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
    357Кешбэк 53 балла
    IRFR9014PBF-BE3P-CHANNEL 60V
    361Кешбэк 54 балла
    SIHP6N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
    361Кешбэк 54 балла
    SQJ858AEP-T1_BE3MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
    365Кешбэк 54 балла
    SIHF9630S-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    365Кешбэк 54 балла
    SIJ450DP-T1-GE3N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
    367Кешбэк 55 баллов
    IRL520PBF-BE3MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    367Кешбэк 55 баллов
    SIR626DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF840BPBF-BE3MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF840PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    SQJA72EP-T1_BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    370Кешбэк 55 баллов
    SIR800ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ433EP-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ443EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ433EP-T1_BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
    371Кешбэк 55 баллов
    SIHP15N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
    372Кешбэк 55 баллов
    SIJ438DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
    374Кешбэк 56 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Модули триодных тиристоров
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП