Вход/Регистрация
SIHP28N65EF-GE3MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
SIHG24N65E-GE3
SIHG24N65E-GE3
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SIHG24N65E-GE3
- Описание:MOSFET N-CH 650V 24A TO247ACВсе характеристики
Минимальная цена SIHG24N65E-GE3 при покупке от 1 шт 1306.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG24N65E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 2538 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 11 306 ₽
- 10881 ₽
- 100639 ₽
- 500494 ₽
- 1000487 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SIHG24N65E-GE3
- Описание:MOSFET N-CH 650V 24A TO247ACВсе характеристики
Минимальная цена SIHG24N65E-GE3 при покупке от 1 шт 1306.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG24N65E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SIHG24N65E-GE3
SIHG24N65E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ненаправленного действия с низким напряжением включения. Основные характеристики:
- Напряжение блокировки (VGS(th)): 6,5 В
- Размер тока (ID): 24 А
- Напряжение блокировки (VDS): 650 В
- Контактный тип: TO247AC
Плюсы:
- Высокая надежность благодаря использованию технологии от компании Vishay Siliconix.
- Высокая скорость переключения, что позволяет эффективно использовать энергетические системы.
- Устойчивость к перегреву, что обеспечивает длительный срок службы.
Минусы:
- Высокие затраты на производство из-за использования более сложных технологий.
- Требуются дополнительные компоненты для защиты от скачков напряжения и перегрузок.
Общее назначение: SIHG24N65E-GE3 используется в различных приложениях, где требуется высокопроизводительная электроника, такие как:
- Промышленное оборудование
- Автомобильные системы
- Энергосберегающие устройства
- Инверторы и преобразователи
- Блоки питания
Выбрано: Показать
Характеристики SIHG24N65E-GE3
Техническая документация
SIHG24N65E-GE3.pdf pdf. 0 kb