Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3
;
SIHG33N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG33N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1367.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG33N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600 В
    • Ток при VDS(on): 33 А
    • Пакет: TO247AC
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый ток утечки
    • Компактный размер пакета
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с IGBT
    • Уязвимость к электрическим ударам
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в промышленной электронике
    • Интеграция в системы управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Мощные инверторы
    • Системы управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG33N60E-GE3

Техническая документация

SIHG33N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 522 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 367 ₽
  • 10
    1 000 ₽
  • 100
    810 ₽
  • 500
    719 ₽
  • 1000
    556 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG33N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1367.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG33N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600 В
    • Ток при VDS(on): 33 А
    • Пакет: TO247AC
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый ток утечки
    • Компактный размер пакета
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с IGBT
    • Уязвимость к электрическим ударам
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в промышленной электронике
    • Интеграция в системы управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Мощные инверторы
    • Системы управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG33N60E-GE3

Техническая документация

SIHG33N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории