Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHG47N60E-E3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3
;
SIHG47N60E-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIHG47N60E-E3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 47A TO247ACВсе характеристики

Минимальная цена SIHG47N60E-E3 при покупке от 1 шт 1886.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG47N60E-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3 — это MOSFET (Монолитный Осциллятор Сигнала), тип N-канальный, с напряжением разрыва 600В и током пропускания 47А, корпус TO247AC.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение разрыва: 600В
    • Ток пропускания: 47А
    • Корпус: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии (Rds(on))
    • Устойчивость к перегреву
    • Работа в широком диапазоне температур
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Применение в источниках питания
    • Использование в электронных системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы питания компьютеров
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления двигателем
    • Источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG47N60E-E3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    47A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    64mOhm @ 24A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    220 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9620 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    357W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    SIHG47

Техническая документация

 SIHG47N60E-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • 962 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 886 ₽
  • 10
    1 121 ₽
  • 100
    995 ₽
  • 500
    937 ₽
  • 1000
    902 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIHG47N60E-E3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 47A TO247ACВсе характеристики

Минимальная цена SIHG47N60E-E3 при покупке от 1 шт 1886.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG47N60E-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3 — это MOSFET (Монолитный Осциллятор Сигнала), тип N-канальный, с напряжением разрыва 600В и током пропускания 47А, корпус TO247AC.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение разрыва: 600В
    • Ток пропускания: 47А
    • Корпус: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии (Rds(on))
    • Устойчивость к перегреву
    • Работа в широком диапазоне температур
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Применение в источниках питания
    • Использование в электронных системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы питания компьютеров
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления двигателем
    • Источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG47N60E-E3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    47A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    64mOhm @ 24A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    220 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9620 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    357W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    SIHG47

Техническая документация

 SIHG47N60E-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDD86102MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
    323Кешбэк 48 баллов
    STW45N65M5MOSFET N-CH 650V 35A TO247
    1 251Кешбэк 187 баллов
    FDN359ANMOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
    69Кешбэк 10 баллов
    HUF75333P3MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
    224Кешбэк 33 балла
    MCP87090T-U/MFMOSFET N-CH 25V 64A 8PDFN
    169Кешбэк 25 баллов
    IRFH5006TRPBFMOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
    388Кешбэк 58 баллов
    PSMN5R2-60YLXMOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
    354Кешбэк 53 балла
    IRFU1N60APBFMOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
    389Кешбэк 58 баллов
    FDD2572MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
    389Кешбэк 58 баллов
    TK7A65D(STA4,Q,M)Транзистор: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
    538Кешбэк 80 баллов
    IPB180N04S400ATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    867Кешбэк 130 баллов
    NTD2955T4GMOSFET P-CH 60V 12A DPAK
    217Кешбэк 32 балла
    NTR4003NT1GMOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
    13.2Кешбэк 1 балл
    IRL540NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
    266Кешбэк 39 баллов
    FDMS86255MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
    860Кешбэк 129 баллов
    FDS9431AP-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET
    250Кешбэк 37 баллов
    IRFR24N15DTRPBFMOSFET N-CH 150V 24A DPAK
    258Кешбэк 38 баллов
    IPD33CN10NGATMA1MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
    280Кешбэк 42 балла
    BSO072N03SMOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
    387Кешбэк 58 баллов
    NP180N055TUK-E1-AYMOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
    1 088Кешбэк 163 балла
    BUK7Y153-100EXMOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
    193Кешбэк 28 баллов
    ZVP2106ASTZMOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
    230Кешбэк 34 балла
    NTHS4111PT1GMOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
    46Кешбэк 6 баллов
    FDC606PMOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
    182Кешбэк 27 баллов
    PSMN1R2-30YLDXMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    371Кешбэк 55 баллов
    STD11N50M2MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
    270Кешбэк 40 баллов
    DMP3020LSS-13MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
    135Кешбэк 20 баллов
    RS1E280GNTBMOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
    183Кешбэк 27 баллов
    ZXMP6A13GTAMOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
    130Кешбэк 19 баллов
    DMP4047SK3-13MOSFET P-CH 40V 20A TO252
    175Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП