Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHG70N60EF-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHG70N60EF-GE3

SIHG70N60EF-GE3

SIHG70N60EF-GE3
;
SIHG70N60EF-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIHG70N60EF-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 70A TO247ACВсе характеристики

Минимальная цена SIHG70N60EF-GE3 при покупке от 1 шт 2689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG70N60EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG70N60EF-GE3

SIHG70N60EF-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 70А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
    • Эффективное управление током
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Управление током в источниках питания
    • Изоляция высоковольтных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления
    • Системах питания компьютеров и серверов
    • Инверторах для преобразования напряжения
    • Трансформаторах и других электротехнических устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG70N60EF-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38mOhm @ 35A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    380 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7500 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    520W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    SIHG70

Техническая документация

 SIHG70N60EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 271 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 689 ₽
  • 10
    1 677 ₽
  • 100
    1 436 ₽
  • 500
    1 376 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIHG70N60EF-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 70A TO247ACВсе характеристики

Минимальная цена SIHG70N60EF-GE3 при покупке от 1 шт 2689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG70N60EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG70N60EF-GE3

SIHG70N60EF-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 70А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
    • Эффективное управление током
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Управление током в источниках питания
    • Изоляция высоковольтных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления
    • Системах питания компьютеров и серверов
    • Инверторах для преобразования напряжения
    • Трансформаторах и других электротехнических устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG70N60EF-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38mOhm @ 35A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    380 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7500 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    520W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    SIHG70

Техническая документация

 SIHG70N60EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI7431DP-T1-GE3MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
    911Кешбэк 136 баллов
    SUM110P04-04L-E3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
    913Кешбэк 136 баллов
    IRFIB7N50APBFMOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
    932Кешбэк 139 баллов
    SIHP21N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
    954Кешбэк 143 балла
    SI7880ADP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    960Кешбэк 144 балла
    IRFBC40SPBFMOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    1 015Кешбэк 152 балла
    SI7439DP-T1-E3MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
    1 047Кешбэк 157 баллов
    IRFP448PBFMOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
    1 065Кешбэк 159 баллов
    SIHF30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A TO220
    1 093Кешбэк 163 балла
    SUM90N03-2M2P-E3MOSFET N-CH 30V 90A TO263
    1 099Кешбэк 164 балла
    IRFP048PBFMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
    1 112Кешбэк 166 баллов
    IRFPF30PBFMOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
    1 175Кешбэк 176 баллов
    SUM85N15-19-E3MOSFET N-CH 150V 85A TO263
    1 195Кешбэк 179 баллов
    IRFP350LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
    1 385Кешбэк 207 баллов
    SUP85N15-21-E3MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
    1 387Кешбэк 208 баллов
    SIHG33N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
    1 400Кешбэк 210 баллов
    SIHB33N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
    1 455Кешбэк 218 баллов
    SIHG70N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC
    2 689Кешбэк 403 балла
    MMBF170MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    2N7000BUТранзистор: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
    72Кешбэк 10 баллов
    BS170Транзистор: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
    74Кешбэк 11 баллов
    FDC8878MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
    121Кешбэк 18 баллов
    FDMS0312ASMOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
    123Кешбэк 18 баллов
    FDC86244MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
    131Кешбэк 19 баллов
    FDS5351MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
    135Кешбэк 20 баллов
    FDC8886MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
    139Кешбэк 20 баллов
    FDC855NMOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    150Кешбэк 22 балла
    FDC654PMOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
    154Кешбэк 23 балла
    FDC642PТранзистор: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
    157Кешбэк 23 балла
    FDMA8051LТранзистор: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
    165Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП