Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHH11N65EF-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHH11N65EF-T1-GE3

SIHH11N65EF-T1-GE3

SIHH11N65EF-T1-GE3
;
SIHH11N65EF-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIHH11N65EF-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8Все характеристики

Минимальная цена SIHH11N65EF-T1-GE3 при покупке от 1 шт 1163.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH11N65EF-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH11N65EF-T1-GE3

SIHH11N65EF-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 650В 11А PPAK 8 x 8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 11А
    • Форм-фактор: PPAK 8 x 8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость в установке
    • Высокая скорость переключения
    • Хорошая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в условиях высокой температуры
    • Необходимость дополнительного охлаждения для обеспечения стабильной работы
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Контроль тока в различных приборах
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Устройства с частотным преобразованием
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH11N65EF-T1-GE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    382mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1243 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    130W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 8 x 8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    SIHH11

Техническая документация

 SIHH11N65EF-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 11 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 163 ₽
  • 10
    1 138 ₽
  • 100
    1 113 ₽
  • 500
    1 087 ₽
  • 1000
    1 062 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIHH11N65EF-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8Все характеристики

Минимальная цена SIHH11N65EF-T1-GE3 при покупке от 1 шт 1163.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH11N65EF-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH11N65EF-T1-GE3

SIHH11N65EF-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 650В 11А PPAK 8 x 8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 11А
    • Форм-фактор: PPAK 8 x 8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость в установке
    • Высокая скорость переключения
    • Хорошая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в условиях высокой температуры
    • Необходимость дополнительного охлаждения для обеспечения стабильной работы
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Контроль тока в различных приборах
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Устройства с частотным преобразованием
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH11N65EF-T1-GE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    382mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1243 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    130W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 8 x 8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    SIHH11

Техническая документация

 SIHH11N65EF-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIHP28N65EF-GE3MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
    1 109Кешбэк 166 баллов
    IRFP460LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
    1 115Кешбэк 167 баллов
    SIHH11N65EF-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8
    1 163Кешбэк 174 балла
    IRFPC60LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
    1 166Кешбэк 174 балла
    IRFPC60PBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
    1 174Кешбэк 176 баллов
    SUM45N25-58-E3MOSFET N-CH 250V 45A TO263
    1 243Кешбэк 186 баллов
    SIHP24N65E-GE3MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
    1 270Кешбэк 190 баллов
    SIHB30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    1 301Кешбэк 195 баллов
    SIHG24N65E-GE3MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
    1 306Кешбэк 195 баллов
    SIHG30N60E-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
    1 355Кешбэк 203 балла
    IRFP22N60KPBFMOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
    1 737Кешбэк 260 баллов
    SIHG47N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
    1 738Кешбэк 260 баллов
    SIHG47N60E-E3MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
    1 970Кешбэк 295 баллов
    SIHG73N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
    2 575Кешбэк 386 баллов
    2N7002EMOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
    19.7Кешбэк 2 балла
    FDN327NТранзистор: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
    25.6Кешбэк 3 балла
    2N7002KWТранзистор: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
    25.6Кешбэк 3 балла
    FDN338PMOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
    27.5Кешбэк 4 балла
    FDN336PMOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
    29.5Кешбэк 4 балла
    FDN304PMOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
    31.4Кешбэк 4 балла
    FDN337NMOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
    37Кешбэк 5 баллов
    FDN302PMOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
    39Кешбэк 5 баллов
    FDN306PMOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
    43Кешбэк 6 баллов
    IXFP12N50PMOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
    968Кешбэк 145 баллов
    IXTA3N120MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
    1 795Кешбэк 269 баллов
    IXTQ69N30PMOSFET N-CH 300V 69A TO3P
    2 131Кешбэк 319 баллов
    IXFH16N80PMOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
    2 155Кешбэк 323 балла
    IXFH42N60P3MOSFET N-CH 600V 42A TO247AD
    2 207Кешбэк 331 балл
    IXFH170N10PMOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
    2 453Кешбэк 367 баллов
    IXTH10P60MOSFET P-CH 600V 10A TO247
    2 582Кешбэк 387 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП