Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHH14N65EF-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3
;
SIHH14N65EF-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHH14N65EF-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8Все характеристики

Минимальная цена SIHH14N65EF-T1-GE3 при покупке от 1 шт 1052.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH14N65EF-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3 — это MOSFET (Монолитный оксидный полупроводниковый транзистор) производства компании Vishay Siliconix. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высоковольтная блокировка и управление током.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650 В
    • Номинальный ток: 15 А
    • Пакет: PPAK 8x8 мм
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Экономичное использование энергии благодаря низкому сопротивлению
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Высокие цены по сравнению с менее производительными моделями
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в источниках питания
    • Блокировки высокого напряжения в электротехнических устройствах
    • Управление током в инверторах и преобразователях

Этот MOSFET широко применяется в автомобильной электронике, промышленных системах, бытовой технике и других областях, где требуется надежное управление током при высоком напряжении.

Выбрано: Показать

Характеристики SIHH14N65EF-T1-GE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    271mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    98 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1749 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 8 x 8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    SIHH14

Техническая документация

 SIHH14N65EF-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 052 ₽
  • 10
    768 ₽
  • 100
    555 ₽
  • 500
    552 ₽
  • 3000
    451 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHH14N65EF-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8Все характеристики

Минимальная цена SIHH14N65EF-T1-GE3 при покупке от 1 шт 1052.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH14N65EF-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3 — это MOSFET (Монолитный оксидный полупроводниковый транзистор) производства компании Vishay Siliconix. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высоковольтная блокировка и управление током.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650 В
    • Номинальный ток: 15 А
    • Пакет: PPAK 8x8 мм
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Экономичное использование энергии благодаря низкому сопротивлению
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Высокие цены по сравнению с менее производительными моделями
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в источниках питания
    • Блокировки высокого напряжения в электротехнических устройствах
    • Управление током в инверторах и преобразователях

Этот MOSFET широко применяется в автомобильной электронике, промышленных системах, бытовой технике и других областях, где требуется надежное управление током при высоком напряжении.

Выбрано: Показать

Характеристики SIHH14N65EF-T1-GE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    271mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    98 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1749 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 8 x 8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    SIHH14

Техническая документация

 SIHH14N65EF-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI4442DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
    482Кешбэк 72 балла
    IRF510STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    282Кешбэк 42 балла
    SIRA06DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    237Кешбэк 35 баллов
    SUM90N03-2M2P-E3MOSFET N-CH 30V 90A TO263
    826Кешбэк 123 балла
    IRF630STRRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    348Кешбэк 52 балла
    IRF634STRRPBFMOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
    537Кешбэк 80 баллов
    IRFPF30PBFMOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
    932Кешбэк 139 баллов
    IRFBF20STRRPBFMOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
    556Кешбэк 83 балла
    SUP70040E-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    748Кешбэк 112 баллов
    SI1021R-T1-GE3MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
    122Кешбэк 18 баллов
    IRFBE30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    328Кешбэк 49 баллов
    IRF820STRLPBFMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
    506Кешбэк 75 баллов
    IRF624PBFMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    SUM70040M-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
    578Кешбэк 86 баллов
    SUM110P04-04L-E3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
    891Кешбэк 133 балла
    IRFU310PBFMOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
    385Кешбэк 57 баллов
    IRFP22N50APBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
    1 017Кешбэк 152 балла
    SIHG33N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
    1 367Кешбэк 205 баллов
    IRFBC40SPBFMOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    569Кешбэк 85 баллов
    IRFPG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
    335Кешбэк 50 баллов
    IRFBC30ALPBFMOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
    343Кешбэк 51 балл
    SIHB30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    1 241Кешбэк 186 баллов
    IRFP360LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
    1 058Кешбэк 158 баллов
    IRFPC40PBFMOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
    343Кешбэк 51 балл
    IRFP048PBFMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
    939Кешбэк 140 баллов
    IRF9520SPBFMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    537Кешбэк 80 баллов
    SI4447DY-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
    224Кешбэк 33 балла
    IRL630SPBFMOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    621Кешбэк 93 балла
    SI8416DB-T2-E1MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
    202Кешбэк 30 баллов
    IRF730STRLPBFMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
    454Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП