SIHP12N50E-GE3

SIHP12N50E-GE3 VISHAY MOSFET N-ЧЕРНЯВОЕ

• НапряжениеGBT: 500 В
• Разрядная способность: 10.5 А
• Монтажный тип: TO220AB

Основные параметры:

• Тип: N-канальный MOSFET
• Номинальное напряжение: 500 В
• Номинальный ток разряда: 10.5 А
• Температурный диапазон: от -55°C до +175°C
• Изоляционная способность: высокая

Плюсы:

• Высокий КПД
• Низкий коэффициент сопротивления
• Малые потери при работе
• Стабильность характеристик
• Малый размер и легкость

Минусы:

• Уязвимость к электрическим шумам
• Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
• Затраты на монтаж и подключение

Общее назначение:

• Компенсация тока в источниках питания
• Переключение высоковольтных цепей
• Регулирование напряжения в системах управления

Применяется в:

• Источниках питания для компьютеров и серверов
• Автомобильных системах управления
• Электронных устройствах для промышленного использования
• Системах управления двигателями
• Телевизорах и других цифровых аудио-видео устройствах