Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHP20N50E-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3
;
SIHP20N50E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHP20N50E-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 19A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена SIHP20N50E-GE3 при покупке от 1 шт 694.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP20N50E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 500В
    • Номинальный ток при рабочем состоянии (ID): 19А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Оболочка: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический трение (RDson)
    • Эффективное управление нагрузкой
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Управляемость зависит от напряжения питания
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электронных системах управления
    • Работа в свичинговых цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателей
    • Питание компьютеров и серверов
    • Переносные устройства и зарядные станции
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP20N50E-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    184mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    92 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1640 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    179W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SIHP20

Техническая документация

 SIHP20N50E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 844 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    694 ₽
  • 10
    474 ₽
  • 100
    331 ₽
  • 500
    270 ₽
  • 1000
    250 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHP20N50E-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 19A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена SIHP20N50E-GE3 при покупке от 1 шт 694.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP20N50E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 500В
    • Номинальный ток при рабочем состоянии (ID): 19А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Оболочка: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический трение (RDson)
    • Эффективное управление нагрузкой
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Управляемость зависит от напряжения питания
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электронных системах управления
    • Работа в свичинговых цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателей
    • Питание компьютеров и серверов
    • Переносные устройства и зарядные станции
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP20N50E-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    184mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    92 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1640 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    179W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SIHP20

Техническая документация

 SIHP20N50E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSS138NH6433XTMA1MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    BSL296SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6
    60Кешбэк 9 баллов
    IRLML6344TRPBFMOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    BSS806NEH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
    62Кешбэк 9 баллов
    IRF9393TRPBFMOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
    63Кешбэк 9 баллов
    BSP318SL6327HTSA1MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
    64Кешбэк 9 баллов
    IRLML9303TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    IRFR024NTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    66Кешбэк 9 баллов
    BSS670S2LH6433XTMA1MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
    68Кешбэк 10 баллов
    IRFHM8329TRPBFMOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
    68Кешбэк 10 баллов
    IRLML5203TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
    69Кешбэк 10 баллов
    IPS65R1K5CEAKMA1MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
    69Кешбэк 10 баллов
    IRFZ34NPBFMOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
    70Кешбэк 10 баллов
    IRLTS6342TRPBFMOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
    70Кешбэк 10 баллов
    IRLML5103TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    BSD316SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML0030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    BSD214SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML2030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML2060TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML9301TRPBFMOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
    73Кешбэк 10 баллов
    IPU60R2K0C6AKMA1MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
    76Кешбэк 11 баллов
    BSC032NE2LSATMA1MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
    76Кешбэк 11 баллов
    BSS225H6327FTSA1MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
    76Кешбэк 11 баллов
    IPD075N03LGATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
    77Кешбэк 11 баллов
    BSP296NH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
    77Кешбэк 11 баллов
    IRFZ24NPBFMOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
    78Кешбэк 11 баллов
    IRLML6401TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
    79Кешбэк 11 баллов
    BSS127H6327XTSA2MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
    79Кешбэк 11 баллов
    IRFTS8342TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    79Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП