Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHP28N65EF-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3
;
SIHP28N65EF-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIHP28N65EF-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 28A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена SIHP28N65EF-GE3 при покупке от 1 шт 1109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP28N65EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 650В 28А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 28А
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент вольт-амперной характеристики (Rds(on))
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в источниках питания
    • Работа в инверторах и преобразователях частоты
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Электронных устройствах для управления мощностью
    • Инверторах для домашнего использования
    • Промышленных системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP28N65EF-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    117mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    146 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3249 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SIHP28

Техническая документация

 SIHP28N65EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 999 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 109 ₽
  • 10
    997 ₽
  • 100
    818 ₽
  • 500
    695 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIHP28N65EF-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 28A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена SIHP28N65EF-GE3 при покупке от 1 шт 1109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP28N65EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 650В 28А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 28А
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент вольт-амперной характеристики (Rds(on))
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в источниках питания
    • Работа в инверторах и преобразователях частоты
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Электронных устройствах для управления мощностью
    • Инверторах для домашнего использования
    • Промышленных системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP28N65EF-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    117mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    146 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3249 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SIHP28

Техническая документация

 SIHP28N65EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIHP28N65EF-GE3MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
    1 109Кешбэк 166 баллов
    IRFP460LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
    1 115Кешбэк 167 баллов
    SIHH11N65EF-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8
    1 163Кешбэк 174 балла
    IRFPC60LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
    1 166Кешбэк 174 балла
    IRFPC60PBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
    1 174Кешбэк 176 баллов
    SUM45N25-58-E3MOSFET N-CH 250V 45A TO263
    1 243Кешбэк 186 баллов
    SIHP24N65E-GE3MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
    1 270Кешбэк 190 баллов
    SIHB30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    1 301Кешбэк 195 баллов
    SIHG24N65E-GE3MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
    1 306Кешбэк 195 баллов
    SIHG30N60E-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
    1 355Кешбэк 203 балла
    IRFP22N60KPBFMOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
    1 737Кешбэк 260 баллов
    SIHG47N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
    1 738Кешбэк 260 баллов
    SIHG47N60E-E3MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
    1 970Кешбэк 295 баллов
    SIHG73N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
    2 575Кешбэк 386 баллов
    2N7002EMOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
    19.7Кешбэк 2 балла
    FDN327NТранзистор: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
    25.6Кешбэк 3 балла
    2N7002KWТранзистор: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
    25.6Кешбэк 3 балла
    FDN338PMOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
    27.5Кешбэк 4 балла
    FDN336PMOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
    29.5Кешбэк 4 балла
    FDN304PMOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
    31.4Кешбэк 4 балла
    FDN337NMOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
    37Кешбэк 5 баллов
    FDN302PMOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
    39Кешбэк 5 баллов
    FDN306PMOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
    43Кешбэк 6 баллов
    IXFP12N50PMOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
    968Кешбэк 145 баллов
    IXTA3N120MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
    1 795Кешбэк 269 баллов
    IXTQ69N30PMOSFET N-CH 300V 69A TO3P
    2 131Кешбэк 319 баллов
    IXFH16N80PMOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
    2 155Кешбэк 323 балла
    IXFH42N60P3MOSFET N-CH 600V 42A TO247AD
    2 207Кешбэк 331 балл
    IXFH170N10PMOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
    2 453Кешбэк 367 баллов
    IXTH10P60MOSFET P-CH 600V 10A TO247
    2 582Кешбэк 387 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП