Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SIHP4N80E-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHP4N80E-BE3

SIHP4N80E-BE3

SIHP4N80E-BE3
;
SIHP4N80E-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHP4N80E-BE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 600VВсе характеристики

Минимальная цена SIHP4N80E-BE3 при покупке от 1 шт 484.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP4N80E-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP4N80E-BE3

Размеры и производитель:

  • Маркировка: SIHP4N80E-BE3
  • Производитель: Vishay Siliconix

Основные параметры:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 600В
  • Резистивность Rds(on): 1.25Ω (при Vgs = 10V)
  • Ток нагрузки: 80A
  • Частота: до 500kHz

Плюсы:

  • Высокое напряжение – способность работать при высоких напряжениях.
  • Малая резистивность Rds(on) – обеспечивает низкое энергетическое сопротивление.
  • Высокая токовая способность – может выдерживать значительные токи нагрузки.
  • Доступная цена – относительно дешевый выбор для многих применений.

Минусы:

  • Высокие токи – могут привести к перегреву при неправильной работе.
  • Зависимость Rds(on) от температуры – может влиять на характеристики при изменении условий работы.
  • Необходимость дополнительных компонентов – для некоторых применений требуется дополнительное оборудование для управления.

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями – используется для управления токами в различных электронных устройствах.
  • Переключение – применяется для переключения электрических цепей.
  • Преобразование напряжения – используется в преобразователях напряжения.

Применение:

  • Питание устройств – используется в системах питания для управления токами.
  • Автомобильная электроника – применяется в системах управления двигателем и других электронных системах автомобилей.
  • Электронные устройства – используется в различных электронных устройствах для управления токами.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP4N80E-BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.27Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    622 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    69W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

 SIHP4N80E-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 990 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    484 ₽
  • 10
    265 ₽
  • 100
    217 ₽
  • 500
    199 ₽
  • 1000
    172 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHP4N80E-BE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 600VВсе характеристики

Минимальная цена SIHP4N80E-BE3 при покупке от 1 шт 484.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP4N80E-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP4N80E-BE3

Размеры и производитель:

  • Маркировка: SIHP4N80E-BE3
  • Производитель: Vishay Siliconix

Основные параметры:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 600В
  • Резистивность Rds(on): 1.25Ω (при Vgs = 10V)
  • Ток нагрузки: 80A
  • Частота: до 500kHz

Плюсы:

  • Высокое напряжение – способность работать при высоких напряжениях.
  • Малая резистивность Rds(on) – обеспечивает низкое энергетическое сопротивление.
  • Высокая токовая способность – может выдерживать значительные токи нагрузки.
  • Доступная цена – относительно дешевый выбор для многих применений.

Минусы:

  • Высокие токи – могут привести к перегреву при неправильной работе.
  • Зависимость Rds(on) от температуры – может влиять на характеристики при изменении условий работы.
  • Необходимость дополнительных компонентов – для некоторых применений требуется дополнительное оборудование для управления.

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями – используется для управления токами в различных электронных устройствах.
  • Переключение – применяется для переключения электрических цепей.
  • Преобразование напряжения – используется в преобразователях напряжения.

Применение:

  • Питание устройств – используется в системах питания для управления токами.
  • Автомобильная электроника – применяется в системах управления двигателем и других электронных системах автомобилей.
  • Электронные устройства – используется в различных электронных устройствах для управления токами.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP4N80E-BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.27Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    622 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    69W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3

Техническая документация

 SIHP4N80E-BE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ431AEP-T1_BE3P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
    457Кешбэк 68 баллов
    IRFZ34PBF-BE3MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
    461Кешбэк 69 баллов
    SQD23N06-31L_GE3MOSFET N-CH 60V 23A TO252
    461Кешбэк 69 баллов
    SQJ848EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
    461Кешбэк 69 баллов
    SIR182DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
    463Кешбэк 69 баллов
    IRF9610PBF-BE3MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    465Кешбэк 69 баллов
    IRFR320TRPBF-BE3Транзистор: N-CHANNEL 400V
    467Кешбэк 70 баллов
    SQJ422EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
    469Кешбэк 70 баллов
    SIR570DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
    471Кешбэк 70 баллов
    SQD50N05-11L_GE3MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
    471Кешбэк 70 баллов
    IRF9Z24PBF-BE3Транзистор: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
    475Кешбэк 71 балл
    SQJ126EP-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
    477Кешбэк 71 балл
    SQD40061EL_GE3MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
    478Кешбэк 71 балл
    SQD40020EL_GE3MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
    478Кешбэк 71 балл
    SQ4483BEEY-T1_GE3MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
    480Кешбэк 72 балла
    SUD50N04-8M8P-4BE3MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
    482Кешбэк 72 балла
    SQD45P03-12_GE3MOSFET P-CH 30V 50A TO252
    484Кешбэк 72 балла
    IRFR9120PBF-BE3P-CHANNEL 100V
    484Кешбэк 72 балла
    SIHP4N80E-BE3N-CHANNEL 600V
    484Кешбэк 72 балла
    SIHFBC40AS-GE3MOSFET N-CHANNEL 600V
    484Кешбэк 72 балла
    SIR106DP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
    486Кешбэк 72 балла
    SIR871DP-T1-GE3MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
    488Кешбэк 73 балла
    SIHP7N60E-BE3N-CHANNEL 600V
    488Кешбэк 73 балла
    IRFBC40PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
    488Кешбэк 73 балла
    SQM40081EL_GE3MOSFET P-CH 40V 50A TO263
    488Кешбэк 73 балла
    SIR516DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
    494Кешбэк 74 балла
    SIHF640S-GE3MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
    496Кешбэк 74 балла
    IRF840APBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    496Кешбэк 74 балла
    SIHP15N50E-BE3N-CHANNEL 500V
    498Кешбэк 74 балла
    SIHFBE30S-GE3MOSFET N-CHANNEL 800V
    498Кешбэк 74 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули триодных тиристоров
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП